IT03229 Search Results

MarKING JS

Contextual Info: Ordering number : ENN7026 CPH6316 P-Channel Silicon MOSFET CPH6316 High-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. High-speed switching. 4V drive. unit : mm 2151A [CPH6316] 0.15 2.9 5 4 0.6 6 0.2 • 0.6 1.6 2.8 0.05

W507

Abstract: FW507 MCH3312 SB1003M
Contextual Info: FW507 注文コード No. N 8 4 0 3 三洋半導体データシート N FW507 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチング、低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間が短く、

SCH1304

Contextual Info: SCH1304 Ordering number : ENN8100 P-Channel Silicon MOSFET SCH1304 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol

CPH5810

Abstract: MCH3312
Contextual Info: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5810 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）

A0113-4

Abstract: a0113 VEC2307 A0113-1 D1505PE
Contextual Info: VEC2307 注文コード No. N A 0 1 1 3 三洋半導体データシート N VEC2307 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ロードスイッチング用途に最適。 ・4V 駆動。

VEC2307

Abstract: d1505 A0113-1
Contextual Info: VEC2307 Ordering number : ENA0113 VEC2307 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for load switches. 4V drive. Composite type, facilitaing high-density mounting. Mount height 0.75mm. Specifications

MCH6318

Contextual Info: MCH6318 Ordering number : ENN7999 MCH6318 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol

TA 8403 A

Abstract: w507 FW507 MCH3312 SB1003M
Contextual Info: FW507 Ordering number : ENN8403 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode FW507 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Composite type with a low ON-resistance, ultrahigh-speed switching, low voltage drive, P-channel MOSFET and

MCH3312

Abstract: marking JM
Contextual Info: Ordering number : ENN7009 MCH3312 P-Channel Silicon MOSFET MCH3312 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. unit : mm 2167A [MCH3312] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65

ENN8206

Abstract: CPH5810 MCH3312
Contextual Info: CPH5810 Ordering number : ENN8206 CPH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS001)

CPH5810

Abstract: MCH3312
Contextual Info: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 三洋半導体データシート N CPH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）

Contextual Info: Ordering number : ENN7009 MCH3312 MCH3312 P-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. unit : mm 2167A [MCH3312] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65

SCH1304

Contextual Info: SCH1304 注文コード No. N 8 1 0 0 三洋半導体データシート N SCH1304 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。