IT02757 Search Results

MCH3306

Abstract: ENN6900
Contextual Info: Ordering number : ENN6900 MCH3306 P-Channel Silicon MOSFET MCH3306 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167 [MCH3306] 0.25 • 0.3 0.15 2 0.65 0.25 1

SCH1302

Contextual Info: Ordering number : ENN7532 SCH1302 P-Channel Silicon MOSFET SCH1302 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2221 [SCH1302] Top View 1.6 0.05 0.2 0.15

Contextual Info: CPH5848 Ordering number : EN8690 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5848 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Applications • DC / DC converters. Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3306 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)

7552

Abstract: 2SJ658
Contextual Info: Ordering number : ENN7552 2SJ658 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ658 High-Speed Switching Applications Features • • • Package Dimensions Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2178 [2SJ658] 5.0 4.0 5.0 4.0 0.6 2.0 0.45 0.5 0.44 14.0

CPH5802

Abstract: MCH3306 SBS004
Contextual Info: Ordering number : ENN6899 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5802 DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 0.6 5 0.05 2.8 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

Contextual Info: Ordering number : ENN6899 CPH5802 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 2.8 0.6 5 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

SCH1302

Contextual Info: 注文コード No. N 7 5 3 2 SCH1302 三洋半導体データシート N SCH1302 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。

75522

Abstract: 2SJ658
Contextual Info: 注文コード No. N 7 5 5 2 2SJ658 三洋半導体データシート N 2SJ658 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

CPH6315

Abstract: MARKING JR TA-3310
Contextual Info: Ordering number : ENN7018 CPH6315 P-Channel Silicon MOSFET CPH6315 High-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2151A [CPH6315] 0.15 2.9 5 4 0.6 6 0.2 • 0.6 1.6 2.8 0.05

TA-3048

Abstract: CPH5802 MCH3306 SBS004
Contextual Info: 注文コード No. N 6 8 9 9 CPH5802 No. N 6 8 9 9 12201 新 CPH5802 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ

MCH3306

Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 0 0 MCH3306 No. N 6 9 0 0 12201 新 MCH3306 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃