GETY6017 Search Results

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111

BP 103-3

Contextual Info: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •

STR G 8654

Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Contextual Info: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date

BP 103-3

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 302 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß • Gruppiert lieferbar

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Contextual Info: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com

diode 9306

Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

bp 103-5

Abstract: BP 103-3 bp 103-2 200 BP
Contextual Info: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •

Q62702P0075

Abstract: osram Phototransistor GETY6017 OHLY0598 get 103 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,

foto transistor

Abstract: GETY6017 Q62702-P3577 Q62702-P75 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß • Especially suitable for applications from

GETY6017

Abstract: OHLY0598 Q62702P0075 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,

BP 103-3

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß Features • Especially suitable for applications from

BP 103-3

Contextual Info: 2007-04-04 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Package: Metal Can TO-18 , hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection • High linearity

BP 103-3

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,