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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62 Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111	Original	gemy6050 transistor smd marking code 3401 q65110a6342 transistor smd marking code 702 +7fototransistor bpw 39 sfh415u sidelooker smd diode transistor smd 3401 sfh 4740 lpt80 bpy62	PDF
OHRD1938 Abstract: sfh481-3 Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden	Original	o-46-geh ohrd1938 sfh481-3	PDF
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden	Original	o-46-geh	PDF
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden	Original	o-46-geh	PDF
STR G 8654 Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver Contextual Info: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date	Original	str g 8654 a673 transistor transistor a673 transistor bu 45080 +6tt 2188 mx 362-0 transistor smd marking code 3401 diode bzw 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver	PDF
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code Contextual Info: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com	Original	gexy6713 transistor smd marking code 3401 diode b-10 transistor smd marking code 702 +7transistor smd marking code r28 transistor smd marking code nm sfh4450 geoy6969 sfh 4232 sfh 4740 702 transistor smd code	PDF
Q62702-P5302 Abstract: Q62702-P5303 Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit	Original	o-46-geh q62702-p5302 q62702-p5303	PDF
OHLY0598 Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden	Original	o-46-geh ohly0598	PDF
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden	Original	o-46-geh	PDF
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden	Original	o-46-geh	PDF
c 4883 A Abstract: SFH 4881 Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden	Original	o-46-geh c 4883 a sfh 4881	PDF
OHRD1938 Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden	Original	o-46-geh ohrd1938	PDF
Contextual Info: 2008-01-31 Infrared Emitter 950 nm in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.0 SFH 4811, SFH 4813 SFH 4811 Features: SFH 4813 Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case	Original	o-46-geh d-93055	PDF
Contextual Info: 2008-02-25 Infrared Emitter 880 nm in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.0 SFH 4883 SFH 4813 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Anode is electrically connected to the case	Original	o-46-geh d-93055	PDF