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PM200RSE060

Abstract: E80276
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

PM100*060

Abstract: E80276 PM100RSE060 pm100R
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM50CSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM50CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

PM100RSD120

Abstract: E80276 PM100CSA120 3PM10
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSD120 フラットベース形 絶縁形 PM100RSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善

E80276

Abstract: PM100CSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM150CSD120
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150CSD120 フラットベース形 絶縁形 PM150CSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善

E80276

Abstract: PM75CSA120 PM75RSD120
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75RSD120 フラットベース形 絶縁形 PM75RSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善

CM900duc-24nf

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM900DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM900DUC-24NF ●IC ….………………….…. 900 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - I C ….………………….…. 1400 A V CES …………….….…. 1200 V Flat base Type Copper non-plating base plate

CM3600HC-34N

Abstract: CM1200DC-34N CM2400HC-34H 600A 500v igbt CM1600HC-34H CM1200E4C-34N CM1800HC-34H CM1800HC-34N CM2400HC-34N CM600DY-34H
Contextual Info: New 1700V IGBT Modules with CSTBT and Improved FWDi 1 1 2 2 3 3 John Donlon , Eric Motto , Shinichi Iura , Eisuke Suekawa , Kazuhiro Morishita , Masuo Koga 1 Powerex Inc., Youngwood, PA, USA 2) Power Device Works, Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, Japan

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1000DUC-34NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1000DUC-34NF ●I C ….………………….…. 1000 A ●V CES …………….….…. 1700 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate

E80276

Abstract: PM50RSE120
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50RSE120 フラットベース形 絶縁形 PM50RSE120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善

E80276

Abstract: PM150RSE120
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RSE120 フラットベース形 絶縁形 PM150RSE120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善

E80276

Abstract: PM75RSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM75RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM100CSD060 60N40 IC 7405 PM100*060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM100CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM200CSD060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM200CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM200CSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

PM150RSD060

Abstract: E80276
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RSD060 フラットベース形 絶縁形 PM150RSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

CM1400DUC-24NF

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1400DUC-24NF ●I C ….………………….…. 1400 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate

JC201

Abstract: IC1400 VCC-600 0di2
Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1400DUC-24NF ●I C ….………………….…. 1400 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate

PM50CSD120

Abstract: E80276 PM50RSA120
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CSD120 フラットベース形 絶縁形 PM50CSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善

PM150CSD060

Abstract: E80276 ma80n
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM150CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM50CSD060 UFO 128
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM50CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM300CSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM300CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM300CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用