BP 40 DATENBLATT Search Results

led blinker timer

Abstract: Etd-sl-1t-dtf UL508-4
Contextual Info: ETD-SL-1T-DTF Multifunktionales Zeitrelais mit einer einstellbaren Zeit INTERFACE Datenblatt 102571_de_03 1 PHOENIX CONTACT - 04/2008 Beschreibung Die Anforderungen an Sicherheit und Anlagenverfügbarkeit steigen ständig – gleich in welcher Branche. Neben dem

BP 40 Datenblatt

Contextual Info: 2012-10-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

bp 103-5

Abstract: BP 103-3 bp 103-2 200 BP
Contextual Info: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •

BP 103-3

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection

BP 103-3

Contextual Info: 2007-04-04 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Package: Metal Can TO-18 , hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection • High linearity

JEDEC J-STD-020d.01

Abstract: BP 104 FAS
Contextual Info: 2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FAS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 730 nm. 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

BP 103-3

Contextual Info: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •

Contextual Info: 2014-01-17 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 BP 104 F Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

BP 104 FASR

Contextual Info: 2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FASR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 730 nm. 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

Contextual Info: 2009-04-07 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

Contextual Info: 2009-04-07 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 F Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

DM162-4A

Abstract: DP20-13AR DP35-13AR ea 7242 DP40-18AR dp352 DP-45 DP35-13A dp602 DP37-13AR
Contextual Info: LCD-STANDARDGLÄSER 4.2003 LCD-STANDARDGLÄSER EA DM162-4A EA DL41-7A EA DL42-9A LO BAT EA DP40-25A EA DL60-9A EA DP35-13A LC-Glas Typ EA DP20-13AR Stellen Zeichen Abmessung passender zahl höhe B x H [mm] Rahmen 2 13 mm 28,0 x 30,5 Zubehör: Beleuchtung Kontaktierung

Contextual Info: LED Signalleuchten Einbaudurchmesser 14mm blinkend mit 500mm langen Anschlußleitungen LED Indicators Body diameter 14mm flashing with 500mm leads - Schnellbefestigung durch Einrastmontage in eine Bohrung von 0 14 + 0,2mm in Montageplatten mit einer Stärke von 1 bis 3mm

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR
Contextual Info: íx}i3í iu ]9n;g'q s p o s i l i o j p j S j © DNmiAf W¥S±±na N31¥Q >l!UDüq>|! ZUR B E A C H T U N G Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elektronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" LEB)

Contextual Info: 2008-08-11 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.0 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil

Contextual Info: 2007-12-07 GaAlAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 483 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Anode is electrically connected to the case • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

Contextual Info: 2007-12-07 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 242 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

STR G 8654

Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Contextual Info: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date

tda 6109

Abstract: V23100-V7228-F110 B32650 V23100-V7213-F104 V23100-W1224-A104 V23082-A1005-A401 V23108-A1003-B101 V23104-A1003-B101 V23100-V7228-F104 B32110-F
Contextual Info: Katalognummern-Referenz: SCHURICHT-Nummern ⇔ SIEMENS-Nummern Da im Katalog aus drucktechnischen Gründen die Siemensnummern oft nicht zusammenhängend – sondern in Produktgruppen- und Einzelexemplar-Teil aufgetrennt – dargestellt sind, finden Sie hier in einer großen Tabelle für jedes Bauteil die SCHURICHT- und die SIEMENS-Nummern

laserdiode 820 nm

Abstract: "green laser diode" 532 nm laser diode flexpoint collimator FP 801 laser diode 635 nm laser diode 780 nm laser diode module 820 nm laserdiode application
Contextual Info: FLEXPOINT Laserdiodenmodule 532 nm – 905 nm und Zubehör Laser Diode Modules 532 nm – 905 nm and Accessories Produktübersicht Short form catalog Inhaltsverzeichnis Table of content Inhaltsverzeichnis Allgemeine Beschreibung 1 Besondere Merkmale 2 Übersicht / Strahlprofile

0.1 uf Ceramic disc Capacitors 104

Contextual Info: E1N UNTERNEHMEN VON Allgemeine Angaben General Features Roederstein Scheibenkondensatoren Disc capacitors 4. NDK- Massen 4. NDK Specifications Temperaturabhangigkeit der Kapazitat fiir Klasse 1/NDKKeramik-Kondensatoren: Da die Temperaturanderung der Kapa­

isl 6251 schematic

Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
Contextual Info: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.

J-STD-020D

Abstract: OHAY0324 LUW JNSH.EC-BRBT-5C8E-1
Contextual Info: DURISTM E 3 LUW JNSH.EC Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse, farbiger Silikon Verguss • Besonderheit des Bauteils: Bauform mit kleinen Abmessungen 3,0 x 1,4 x 1,2 mm³ LxBxH , hohe Effizienz, lange Lebensdauer

Q65111A1684

Abstract: Q65111A1695 BQ 6100 LCW JNSH.EC-BSBU-5H7I-1 LCW JNSH.EC
Contextual Info: 2012-02-15 DURIS E 3 Datasheet Version 1.1 - OS-IN-2012-04 LCW JNSH.EC The DURIS E 3 combines high efficacy and a wide beam angle into a compact format 3.0 mm x 1.4 mm . This is key to homogeneous illumination applications where the DURIS™ E 3 never fails to impress with its