PDMB150B12 Search Results

igbt 1200v 150a

Abstract: PDMB150B12C2
Contextual Info: PDMB150B12C2 IGBT MODULE Dual 150A 1200V CIRCUIT OUTLINE DRAWING 4- fasten- tab No 110 Dimension mm Approximate Weight : 320g MAXMUM RATINGS (Tc=25°C) Item Collector-Emitter Voltage Gate - Emitter Voltage DC 1 ms Collector Current Collector Power Dissipation

PDMB150B12

Contextual Info: IGBT MODULE PDMB150B12 Dual 150A 1200V CIRCUIT OUTLINE DRAWING 4- fasten- tab No 110 Dimension mm Approximate Weight : 500g MAXMUM RATINGS (Tc=25°C) Item Collector-Emitter Voltage Gate - Emitter Voltage DC 1 ms Collector Current Collector Power Dissipation

PDMB150B12C

Contextual Info: IGBT MODULE PDMB150B12C Dual 150A 1200V CIRCUIT OUTLINE DRAWING 4- fasten- tab No 110 Dimension mm Approximate Weight : 500g MAXMUM RATINGS (Tc=25°C) Item Collector-Emitter Voltage Gate - Emitter Voltage DC 1 ms Collector Current Collector Power Dissipation

Contextual Info: ＰＤＭＢ１５０Ｂ１２ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｄｕａｌ □ １５０ Ａ，１２００Ｖ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ ＰＤＭＢ１５０Ｂ１２Ｃ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ

PT76S16

Abstract: d2n203le 10ERB20 508RP FCHS20A 300MCB
Contextual Info: Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ

508RP

Abstract: 10ERB20 d2n202le D2W220CD FCH10U15 FCU20A40
Contextual Info: NO. 42 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ

PDMB150B12C

Abstract: PDMB150B12C2
Contextual Info: QS043-401M0060 2/4 ＰＤＭＢ１５０Ｂ１２Ｃ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ １５０ Ａ，１２００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 3-M6 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0

1200VIGBT

Contextual Info: ｢Ｂシリーズ｣ 1200V IGBTモジュールの紹介 高速性と低損失を実現した 新世代チップを採用 日本インター株式会社 モジュール製品部 主な特性の改良点 Ｃシリーズとの比較

PDM5001

Abstract: PDT400N16 pah60n8cm PHMB50E6CL PHT250N16 PHT400N16 PD100KN16 PAH100N8CM PT76S16 PAT400N16
Contextual Info: Contents Page Rectifier Diode PH PC PD PE PF PB PT C2 C3 C4,C5 C5 C6 C6 C7,C8 Fast Recovery Diode PH-F, PC-F, PD-F P2H-F C9 C10 Schottky Barrier Diode PC-Q, PE-Q, PQ-Q P2H-Q C11 C12 Thyristor plus Diode PHT PDT PAT PFT PAH PCH PDH PKH PBH, PBH-A, PBF PGH

FCGS20A12

Abstract: FCHS10A12 EC10QS04 TE12L d2n203le 10ERA60 FCHS20A 20NFB60 FCU20A40 PAH100N8CM 10eda10
Contextual Info: NO. 43 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ

Contextual Info: ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｄｕａｌ １５０Ａ，１２００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ ＰＤＭＢ１５０Ｂ１２Ｃ２ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ

Contextual Info: QS043-401M0060 2/4 ＰＤＭＢ１５０Ｂ１２Ｃ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ １５０ Ａ，１２００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 3-M6 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0