PD444016L Search Results

uPD444016LG5-A10Y-7JF-A

Abstract: uPD444016LG5-A12Y-7JF-A uPD444016LG5-A8Y-7JF-A TSOP10 PD444016LG5-AxxY-7JF-A PD444016L-Y
Contextual Info: データ・シート MOS 集積回路 MOS Integrated Circuit PD444016L-Y 4M ビット CMOS 高速スタティック RAM 256K ワードx16 ビット 動作温度拡張品 μPD444016L-Y は 4,194,304 ビット（262,144 ワード×16 ビット）の CMOS 高速スタティック RAM です。

Contextual Info: PRELIMINARY DATA SHEET_ MOS INTEGRATED CIRCUIT jU P D 4 4 4 0 1 6 L 4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT Description The ^¡PD444016L is a high speed, low power, 4,194,304 bits 262,144 words by 16 bits CMOS static RAM. Operating supply voltage is 3.3 V ± 0.3 V.

uPD444016LG5-A10Y-7JF-A

Abstract: uPD444016LG5-A12Y-7JF-A uPD444016LG5-A8Y-7JF-A
Contextual Info: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

SAW30

Abstract: V850E2 STB236 DW7000 m8512 p3098 TLR124 PD703111 dSMC U16794JJ3V0AN
Contextual Info: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

Contextual Info: PRELIMINARY DATA SHEET_ MOS INTEGRATED CIRCUIT A PD444016 4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT Description The ,uPD444016 is a high speed, low power, 4,194,304 bits (262,144 words by 16 bits CMOS static RAM. Operating supply voltage is 5.0 V ± 0.5 V.