GT8G151 Search Results

Contextual Info: GT8G151 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT8G151 Strobe Flash Applications Unit: mm • Enhancement-mode • Peak collector current: IC = 150 A max TSON-8 • Compact and Thin (TSON-8) package Rating Unit VCES 400 V DC VGES

8G151

Abstract: GT8G151
Contextual Info: GT8G151 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT8G151 Strobe Flash Applications Unit: mm • Enhancement-mode VGE = 2.5 V min. (@IC = 150 A) • Peak collector current: IC = 150 A (max) TSON-8 8 0.2 0.65±0.05 Rating Unit VCES

8G151

Abstract: TSON-8 GT8G151 8g15
Contextual Info: GT8G151 東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT8G151 ○ 直列式自動調光ストロボ用 単位: mm • 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 : VGE = 2.5 V 最小 (@IC = 150 A)

GT30F131

Abstract: GT30F124 TK18A60V smd m5 transistor 6-pin SMD TRANSISTOR H2A NPN GT50N322 MARKING SMD PNP TRANSISTOR h2a GT30J124 *30f124 TPCP8R01
Contextual Info: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs

IGBT GT30F124

Abstract: IGBT GT30J124 GT30F124 GT30J124 GT50N322 tk25e06k3 TPCP8R01 TK12A10K3 GT30G124 2SK3075
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2011 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ