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CPH5854 Abstract: MCH3312 SB1003M3 A0516 Contextual Info: CPH5854 注文コード No. N A 0 5 1 6 三洋半導体データシート N CPH5854 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（MCH3312 とショットキバリアダイオード（SB1003M3）	Original	cph5854 mch3312 sb1003m3 600mm2 +590606pe tc-00000163 a0516-1/5 it09554 a0516	PDF
MCH3312 Abstract: CPH5854 SB1003M3 A05166 marking YG Contextual Info: CPH5854 Ordering number : ENA0516 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5854 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type containing a P-Channel MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SB1003M3),	Original	cph5854 ena0516 mch3312 sb1003m3 +3a0516-6/6 a05166 marking yg	PDF

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CPH5854

Abstract: MCH3312 SB1003M3 A0516
Contextual Info: CPH5854 注文コード No. N A 0 5 1 6 三洋半導体データシート N CPH5854 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（MCH3312 とショットキバリアダイオード（SB1003M3）

Original

cph5854 mch3312 sb1003m3 600mm2 +5

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MCH3312

Abstract: CPH5854 SB1003M3 A05166 marking YG
Contextual Info: CPH5854 Ordering number : ENA0516 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5854 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type containing a P-Channel MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SB1003M3),

Original

cph5854 ena0516 mch3312 sb1003m3 +3

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