8G01 Search Results

Contextual Info: 10P Interface Connector, CR-10 Series •Features 1.SMT ready 0.5mm-spacing interface connector. 2.Compatible with the JEITA RC-5240 “Rectangular Connector for Mobile Phone” standard. 3.Half locking type joint system. 4.Receptacles available in a wide repertoire such as

GT30F131

Abstract: GT30F124 TK18A60V smd m5 transistor 6-pin SMD TRANSISTOR H2A NPN GT50N322 MARKING SMD PNP TRANSISTOR h2a GT30J124 *30f124 TPCP8R01
Contextual Info: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs

IGBT GT30F124

Abstract: IGBT GT30J124 GT30F124 GT30J124 GT50N322 tk25e06k3 TPCP8R01 TK12A10K3 GT30G124 2SK3075
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2011 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ

JEITA RC-5240

Abstract: 8G02 RC5240 1505F 8G01 CSS5010-9L02F
Contextual Info: Interface Connectors 10P Interface Connectors, CR-10 Series • Dimension 外形図 ● Plug CSC1010-0502F 3.4 4 1.6 14.8 11.6 11 CONTACT No.10 ■ Features ■ Specification 1.5 0.2 0.3 3.05 5.85 6.05 1.5 3.3 1.95 7 9.9 12.9 5.83 2.85 0.8 1. 0.5mm pitch interface connector.

8G01

Abstract: TPCP8G01
Contextual Info: 8G01 TOSHIBA Multi-Chip Device Transistor Silicon PNP Epitaxial Type／Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 8G01 Unit: mm ○ Switching Applications 0.33±0.05 • Small footprint due to small and thin package 0.05 M A 5 8 Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C

GT30F124

Abstract: TPCP8R01 GT30J124 JAPANESE 2SC TRANSISTOR 2010 smd transistor h2a smd marking 8L01 tk25e06k3 GT45F122 gt30g124 GT30F123
Contextual Info: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs

8G02

Abstract: 2301-F 1903F JEITA RC-5240
Contextual Info: Interface Connectors 10P Interface Connectors, CR-10 Series • Dimension ● Plug CSC1010-0502F 3.4 4 1.6 14.8 11.6 11 CONTACT No.10 ■ Features ■ Specification 1.5 0.2 0.3 5.83 3.05 5.85 6.05 1.5 3.3 1.95 7 9.9 12.9 2.85 0.8 1. 0.5mm pitch interface connector.

Contextual Info: 8G01 TOSHIBA Multi-Chip Device Transistor Silicon PNP Epitaxial Type／Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 8G01 Unit: mm ○ Switching Applications 0.33±0.05 • Small footprint due to small and thin package 0.05 M A 5 8 Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C

GT45F122

Abstract: TK13A60U GT30F123 2SK4207 GT30J124 IGBT GT30F123 gt30f122 GT30G122 2SC5471 IGBT GT30J124
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2009 年 7 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ

GT30J124

Abstract: smd transistor h2a gt45f122 TPCP8R01 GT30F123 2sc1815 smd type smd marking 8L01 h2a smd 2SC5471 2sc5200 amplifiers circuit diagram
Contextual Info: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs

8G01

Abstract: TPCP8G01 0017g
Contextual Info: 8G01 東芝複合デバイス シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタ／シリコンPチャネルMOS形電界効果トランジスタ 8G01 ○ スイッチング用 単位: mm • PNP トランジスタ と Pch MOS FET を 1 パッケージに内蔵した複合デ

*45F122

Abstract: GT30f124 *30g122 *30f124 IGBT GT30F124 GT30J124 GT45F122 GT30F123 TPCA*8023 GT50N322
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2010 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ