645MM2 Search Results

SSM3J111TU

Abstract: 254MM
Contextual Info: SSM3J111TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS形 SSM3J111TU ○ 高速スイッチング ○ パワーマネジメントスイッチ 単位: mm 2.1±0.1 オン抵抗が低い 1.7±0.1 : RDS ON = 480 mΩ max (@VGS = −4 V)

TPCP8505

Contextual Info: TPCP8505 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 TPCP8505 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 単位: mm 0.33±0.05 0.05 M A • 直流電流増幅率が高い。 • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。

SSM6J26FE

Contextual Info: SSM6J26FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type U-MOSIII SSM6J26FE High Speed Switching Applications Unit: mm Optimum for high-density mounting in small packages • Low on-resistance: 1.6±0.05 Ron = 230mΩ (max) (@VGS = -4 V) 1.2±0.05

ad6v

Abstract: SSM6K30FE
Contextual Info: SSM6K30FE 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 Π-MOSⅦ SSM6K30FE ○ 高速スイッチング ○ DC-DC コンバータ 単位: mm • 小型パッケージで高密度実装に最適 • オン抵抗が低い。 • スイッチング速度が速い。 : ton = 19 ns (標準)

SSM6L10TU

Contextual Info: SSM6L10TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンN･PチャネルMOS形 SSM6L10TU ○ パワーマネジメントスイッチ ○ 高速スイッチング 単位: mm 2.1±0.1 記 号 定 格 VDSS 20 V ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧 VGSS

Contextual Info: TPCP8604 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type TPCP8604 High-Voltage Switching Applications Unit: mm 0.33±0.05 High breakdown voltage: VCEO = −400 V 0.05 M A 5 8 Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO −400 V

SSM6L10TU

Contextual Info: SSM6L10TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type SSM6L10TU High Speed Switching Applications • Low on-resistance Q1: Ron = 395mΩ max (@VGS = 1.8 V) Q2: Ron = 980mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) Unit: mm 2.1±0.1 1.7±0.1 Rating Unit Drain-Source voltage

SSM6N29TU

Contextual Info: SSM6N29TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 SSM6N29TU ○ パワーマネジメントスイッチ ○ 高速スイッチング • 1.8V 駆動です • 小型パッケージに Nch 2 素子を内蔵 • オン抵抗が低い。

IC 2803

Abstract: 2SC6061 23S1C 2sc606
Contextual Info: 2SC6061 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 2SC6061 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 単位: mm 絶対最大定格 (Ta = 25°C) 号 定 格 単位 コ レ ク タ ･ ベ ー ス 間 電 圧

SSM3J112TU

Contextual Info: SSM3J112TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS形 SSM3J112TU ○ DC-DC コンバータ ○ 高速スイッチング 単位: mm 2.1±0.1 オン抵抗が低い : RDS ON = 790mΩ max (@VGS = −4 V) 1.7±0.1 2.0±0.1 : RDS(ON) = 390mΩ max (@VGS = −10 V)

2SA2195

Contextual Info: 2SA2195 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 2SA2195 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm 2.1±0.1 直流電流増幅率が高い。 • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。

Contextual Info: SSM6N24TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOSIII SSM6N24TU High Speed Switching Applications Unit: mm • Low on-resistance: 2.1±0.1 Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 1.7±0.1 Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS 30

uDFN-6

Contextual Info: SSM6G18NU Silicon P Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM6G18NU Power Management Switch Applications • Combined a P-channel MOSFET and a schottky barrier diode in one package. • Low RDS ON and Low VF RDS(ON) = 261 mΩ (max) (@VGS = -1.5V)

Contextual Info: 2SCR562F3 Datasheet NPN 6A 30V Middle Power Transistor lOutline Parameter Value VCEO IC 30V 6A HUML2020L3 Collector Collector Base Emitter Emitter Base lFeatures 1 Suitable for Middle Power Driver 2) Low VCE sat) VCE(sat)= 180mV(Max.) (IC/IB=3A/60mA) 2SCR562F3

inverter circuit dc to dc 2V to 100V

Abstract: marking 3t1 TOSHIBA FL INVERTER TPC6502
Contextual Info: TOSHIBA TPC6502 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPC6502 High-speed Switching Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Inverter Applications • High DC current gain: hF E = 400 to 1000 IC=0.3A Low collector-emitter saturation voltage : VCE(sat)~ 0.14V (max)

TNY256G

Abstract: Y07B EE16 core transformer TNY256 TNY256P tny256y MBR360 smd tny256 flyback transformer BC255 MBR360 smd diode
Contextual Info: TNY256 ® TinySwitch Plus Energy Efficient, Low Power Off-line Switcher Product Highlights TinySwitch Plus Features • Extended power range • Fully integrated auto-restart reduces short circuit current • Line under-voltage sense eliminates turn-off glitches

TNY256P

Abstract: transformer tm 1343 TNY256 TNY256G TNY256Y EE16 transformer construction P08A TM 1343 transformer PI-238
Contextual Info: TNY256 TM TinySwitch Plus Energy Efficient, Low Power Off-line Switcher Product Highlights TinySwitch Plus Features • Extended power range • Fully integrated auto-restart reduces short circuit current • Line under-voltage sense eliminates turn-off glitches

Contextual Info: SSM6L11TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type SSM6L11TU High Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low ON-resistance Q1: RDS ON = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

Contextual Info: SSM6L13TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P / N Channel MOS Type SSM6L13TU Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Drain-source voltage Rating Unit VDS 20 V V VGSS ±12 DC ID 0.8 Pulse IDP 1.6 Gate-source voltage Drain current

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Contextual Info: NCP152 Dual 150 mA, Low IQ, Low Dropout Voltage Regulator The NCP152 is 150 mA, Dual Output Linear Voltage Regulator that provides a very stable and accurate voltage with very low noise and high Power Supply Rejection Ratio PSRR suitable for RF applications. The device doesn’t require any additional noise bypass