new bright R288
Abstract: D2578 NFM60R30T222T1 RS8A1002J pm5350 new bright R266 CON10AP DM9161 PM5384-NI Fuse N75
Contextual Info: Freescale Semiconductor, Inc. User’s Manual PQ2FADS-ZU-UM Revision 0.0 April 8, 2003 Freescale Semiconductor, Inc. PQ2FADS-ZU User’s Manual PQ2FADS-ZU User’s Manual Motorola, Inc., 2003 For More Information On This Product, Go to: www.freescale.com
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m216tcn50m218tcn-1944mhzm216tcn-48+1100mhznew bright r288d2578nfm60r30t222t1rs8a1002jpm5350new bright r266con10apdm9161pm5384-nifuse n75
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FR4 substrat
Abstract: CSSP1 fr4+substrate+1.6mm
Contextual Info: Direct Link 1096 Products & Technologies Gehäusetechnologien für SAW-Produkte Januar 2008 Harte Schalen Da SAW-Bauelemente bei der Verarbeitung zu Modulen Drücke von bis zu 100 bar aushalten müssen, sind neue Gehäusetechnologien erforderlich. Damit sich die Oberflächenwellen in SAW-Bauelementen störungsfrei
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fr4 substratcssp1fr4+substrate+1.6mm |
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d8693
Abstract: RYT Circulators amf-3d-008019.1 miteq amf-3f x-band waveguide isolators ps223 TS0303W3 JSD00114 H-BEND
Contextual Info: AST Lagerliste 2010 solange r u n f u a Verk icht! Vorrat re Hohlleiter- und Koaxialbauteile, vom Diplexer bis zu Leistungsverstärker, passive Bauteile wie z.B. Leistungswiderständen oder Dämpfungsglieder, und Kabel bis zu 65 GHz werden mit weit über 50% Preisnachlass angeboten.
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am-1598-11166am-1607-10231am-1013-0d-86932+10d8693ryt circulatorsamf-3d-008019.1miteqamf-3fx-band waveguide isolatorsps223ts0303w3jsd00114h-bend
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EN10
Abstract: G003 G008 4 bis 20 mA stromquelle
Contextual Info: iC-MFP 8-FOLD FAIL-SAFE P-FET DRIVER Ausgabe A2, Seite 1/14 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 8-fach Level-Shifter auf bis zu 40 V Ausgangsspannung ♦ Eingänge kompatibel zu TTL- und CMOS-Pegeln, spannungsfest bis 40 V ♦ Spannungshub der Ausgänge einstellbar auf 5 V, 10 V oder
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qfn24en10g003g008+14 bis 20 ma stromquelle
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QFN24
Abstract: 8 fach N-Kanal FET transistor TE 901 EN10 G003 G008 transistor pfad
Contextual Info: iC-MFN 8-FOLD FAIL-SAFE N-FET DRIVER Ausgabe A2, Seite 1/13 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 8-fach Level-Shifter auf bis zu 40 V Ausgangsspannung ♦ Eingänge kompatibel zu TTL- und CMOS-Pegeln, spannungsfest bis 40 V ♦ Spannungshub der Ausgänge einstellbar auf 5 V, 10 V oder
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qfn248 fach n-kanal fettransistor te 901en10+3g003g008transistor pfad
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AMPMODU II
Abstract: DIN 16901
Contextual Info: DIESES ZEICHNUNG5D0KUMENT WIRD DURCH AMP INCORPORATED KONTROLLIERT. AENDERUNGEN, DIE DEN TECHNISCHEN FORTSCHRITT DIENEN, SIND VORBEHALTEN. DEN JEWEILS LETZTGUELTIGEN AENDERUNGSSTAND ERFAHREN SIE AUF ANFRAGE. rar “ roTEormr PASSEND ZU. P73T RÉVISIONS AENDERUNGEN
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ampmodu iidin 16901 |
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Contextual Info: SKS 1630N B6U 1090 V16 ZU Electrical Characteristics Symbol Conditions min Electrical Data TAMBIENT = 35°C ; No overload ID Maximum DC current VAC Maximum AC voltage +/-10% VBUS DC Bus voltage PTOTAL Maximum stack power Stack power loss (TAMBIENT = 35°C)
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1630n |
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mikroschalter
Abstract: milliohm reedschalter
Contextual Info: Reed vs. Mechanische Mikroschalter MEDER electronic Reedschalter im Vergleich zu mechanischen Mikroschaltern Spezifikationen Reedschalter Schaltdistanz bis 40 mm Abstand Berührung Null Entfernung Leistungsaufnahme keine keine Schaltkraft externer Magnetfeld > 5 Gauss Min.
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mikroschaltermilliohmreedschalter |
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DIP12
Contextual Info: DIP Serie MEDER electronic Umpresste Standard DIP-Reedrelais BESCHREIBUNG Diese Relais zeichnen sich durch die kompakte Bauform aus. Mit den verschiedenen Rasterbelegungen sind kompatible Relais zu allen anderen Herstellern verfügbar. MERKMALE Applikationen
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dip12 |
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EK1200
Abstract: CX1020-N010 Ek1110 EL6731 CX1020-N041 CX1020-0112 CX1020-0110 CX1020-0111 CX1500-M510 CX1030-0121
Contextual Info: Dokumentation zu der Hardware des CX1020 / CX1030-Systems CX1020-0xxx CX1020-Nxxx CX1030-0xxx CX1030-Nxxx Version:1.9 Datum: 06.11.2007 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis 1. Vorwort Hinweise zur Dokumentation 4 Sicherheitshinweise 5 Ausgabestände der Dokumentation
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cx1020cx1030-systemscx1020-0xxxcx1020-nxxx+13cx1030-0xxxcx1030-nxxxcx1030ek1200cx1020-n010ek1110el6731cx1020-n041cx1020-0112cx1020-0110cx1020-0111cx1500-m510cx1030-0121
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DIP12
Abstract: 1a72
Contextual Info: DIP Serie MEDER electronic Umpresste Standard DIP-Reedrelais BESCHREIBUNG Diese Relais zeichnen sich durch die kompakte Bauform aus. Mit den verschiedenen Rasterbelegungen sind kompatible Relais zu allen anderen Herstellern verfügbar. MERKMALE Applikationen
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dip121a72 |
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D-78056
Abstract: M-022 Utech Electronics
Contextual Info: SnapN RF-coaxial connectors / HF-Koaxialsteckverbinder + Backwards compatible with N connectors + Description Beschreibung SnapN RF-coaxial connectors – SnapN HF-Koaxialsteckverbinder – backwards compatible with N connectors rückwärtskompatibel zu N Steckverbindern
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i-41049n-1205d-78056m-022+1utech electronics
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LOCTITE 428
Abstract: 543873 ma 1050 LOCTITE 454 Gem cleaner WU-M-392 Loctite 770
Contextual Info: A New Lighting Experience • hohe Lebensdauer durch optimales Thermomanagement • sehr hoher Lumenausstoß • hocheffizient bis zu 132 lm/W • einfache Kontaktierung mittels vorkonfektionierter Kabel • Linsenoptik mit verschiedenen Abstrahlwinkeln aufsetzbar
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wu-m-392wu-m-392/393/394loctite 428543873+4ma 1050loctite 454gem cleanerloctite 770
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relais
Abstract: reedrelais meder
Contextual Info: REEDRELAIS vs. ANDERE RELAIS MEDER electronic Reedrelais im Vergleich zu Solid-State und mechanischen Relais Spezifikationen Reedrelais Mechanische Relais Schaltzeit 100 µs - 1 ms > 5 ms < 100 µs Lebenserwartung: Low Level 1010 Schaltspiele 106 Schaltspiele
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relaisreedrelaismeder |
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166500-2
Contextual Info: AMP T S 100 Kabelstecker AMP TS 100 Cable Connector In modernen Geraten erfordern die steigende Integration und Verkniipfungsdichte geeignete Steckverbinder fur den Signaltransfer von und zu der Leiterplatte Oder Ruckwandverdrahtung. The ever-increasing integration
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amp-ts-100-system166500-2 |
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filters
Abstract: epcos 565-2 b82722 epcos 565-2 b82725 epcos 565-2 B82721 epcos 565-2 B84299-C B84263-A23-E13 b81121 EPCOS epcos 565-2 b82724 SIEMENS 565-2
Contextual Info: Designing the Future Weil viele unterschiedliche elektronische und elektrische Geräte und Anlagen gleichzeitig betrieben werden, sind hohe Anforderungen an ihre Elektromagnetische Verträglichkeit EMV zu stellen. Seit 1.1.1996 gelten mit der EGRichtlinie verbindliche EMV-Schutzziele.
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filtersepcos 565-2 b82722epcos 565-2 b82725epcos 565-2 b82721+6epcos 565-2b84299-cb84263-a23-e13b81121 epcosepcos 565-2 b82724siemens 565-2
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Contextual Info: Einführung MODELL PG-F320W Einstellung BEDIENUNGSANLEITUNG Kurzanleitung DATENPROJEKTOR Verbindungen Grundlegende Bedienung Nützliche Funktionen Anhang WICHTIG • Um bei Verlust oder Diebstahl dieses Projektors eine Meldung zu vereinfachen, sollten Sie die auf der Unterseite des
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pg-f320w |
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sil12
Contextual Info: SIL Serie MEDER electronic Standard SIL-Reedrelais BESCHREIBUNG Die SIL Relais reduzieren den Platzbedarf verglichen mit DIP Relais um 50 %. Sie haben eine international übliche Pinbelegung und sind damit kompatibel zu fast allen anderen Herstellern. APPLIKATIONEN
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sil12 |
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Contextual Info: Anwender-Bericht: Eigenschaften und Einsatzmöglichkeiten: Welche Vorteile bringen lagerlose Drehgeber? Lagerlose Drehgeber punkten mit einer ganzen Reihe von Eigenschaften, die sie für zahlreiche Einsätze in der Fabrikautomation interessant machen. Zu den wichtigsten
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Q65110A2437
Abstract: A671 transistor Q62902B0156F222 Q65110A1890 transistor a673 led verde 5mm Q62901B0062 A673 transistor LS M67K-J2L1-1 Q62902B0152F222
Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES Sicherheitshinweise Safety Instructions OSRAM LEDs erreichen aufgrund von neuen Chip-Technologien immer höhere optische Leistungen. Wir empfehlen daher, schon bei der Entwicklung von Geräten, die zu
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q65110a2437a671 transistorq62902b0156f222q65110a1890+6transistor a673led verde 5mmq62901b0062a673 transistorls m67k-j2l1-1q62902b0152f222
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B1274 transistor
Abstract: b1274 B1273 transistor B1273 transistor b1274 a1273 B82732-R2142-A30 a1273 transistor B81121 a1273 y transistor
Contextual Info: Designing the Future Weil viele unterschiedliche elektronische und elektrische Geräte und Anlagen gleichzeitig betrieben werden, sind hohe Anforderungen an ihre Elektromagnetische Verträglichkeit EMV zu stellen. Seit 1.1.1996 gelten mit der EGRichtlinie verbindliche EMV-Schutzziele.
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b1274 transistorb1274b1273 transistorb1273+6transistor b1274a1273b82732-r2142-a30a1273 transistorb81121a1273 y transistor
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nielinger
Abstract: Fleischmann chebyshev mtt siemens heft MAR 735 mosfet pp Siemens MTT philips 1968 MOSFET dynamic
Contextual Info: Philips Semiconductors RF transmitting transistor and power amplifier fundamentals 6 6.1 References 4. Hilberg, W., ‘Einige grundsätzliche Betrachtungen zu Breitband-Übertragern’, NTZ, 1966, Heft 9, pp. 527-538. REFERENCES References in the main text
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nielingerfleischmannchebyshevmtt siemens+6heftmar 735mosfet ppsiemens mttphilips 1968mosfet dynamic
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B82508-B-B6
Abstract: matsushita aluminium capacitors B81133 X2 mkt b81130 x2 siemens ferrit core CHOKE B78108-S1273-K SIEMENS 565-2 B82442 Siemens B81130 B82723 Siemens
Contextual Info: Designing the Future Weil viele unterschiedliche elektronische und elektrische Geräte und Anlagen gleichzeitig betrieben werden, sind hohe Anforderungen an ihre Elektromagnetische Verträglichkeit EMV zu stellen. Seit 1.1.1996 gelten mit der EGRichtlinie verbindliche EMV-Schutzziele.
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b82508-b-b6matsushita aluminium capacitorsb81133 x2 mktb81130 x2+6siemens ferrit corechoke b78108-s1273-ksiemens 565-2b82442siemens b81130b82723 siemens
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Contextual Info: Einführung MODELL XG-F315X Einstellung BEDIENUNGSANLEITUNG Kurzanleitung DATENPROJEKTOR Verbindungen Grundlegende Bedienung Nützliche Funktionen Anhang WICHTIG • Um bei Verlust oder Diebstahl dieses Projektors eine Meldung zu vereinfachen, sollten Sie die auf der Unterseite des
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xg-f315x |
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