3LP03M
Abstract: TYP300V
Contextual Info: 3LP03M 注文コード No. N 8 1 5 4 3LP03M P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 ・高静電耐量 TYP300V [ゲート・ソース間保護用片側 Di 内蔵]。
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Original
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3lp03mtyp300v120mait07659+4--10v--15vit08164it08166
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MCH6629
Abstract: D1306 TYP300V
Contextual Info: MCH6629 注文コード No. N 8 2 3 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8239 をさしかえてください。 MCH6629 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長
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Original
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mch6629n8239typ300v900mm2+5it08166it09251it09252it09253d1306
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SCH2301
Abstract: TYP300V
Contextual Info: SCH2301 注文コード No. N 8 9 7 4 三洋半導体データシート N SCH2301 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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sch2301typ300v900mm2it08166+3it08165it08470it08471
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MCH6630
Abstract: TYP300V
Contextual Info: MCH6630 注文コード No. N 8 2 4 0 三洋半導体データシート N MCH6630 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.5V 駆動。
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Original
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mch6630typ300v900mm2350ma+2200mait09245
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SCH2401
Abstract: TYP300V 89754
Contextual Info: SCH2401 注文コード No. N 8 9 7 5 三洋半導体データシート N SCH2401 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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sch2401typ300v900mm2350ma+4200mait07521it0848089754
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MCH6634
Abstract: TYP300V
Contextual Info: MCH6634 注文コード No. N 8 2 2 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8229 とさしかえてください。 MCH6634 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス
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Original
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mch6634n8229typ300v900mm2+3350ma200mait09238
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SCH2601
Abstract: TYP300V
Contextual Info: SCH2601 注文コード No. N 8 3 2 9 三洋半導体データシート N SCH2601 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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sch2601typ300v900mm2350ma+3200mait08166it09569
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3LN03SS
Abstract: D2006 TYP300V IT08161 IT07519
Contextual Info: 3LN03SS 注文コード No. N 8 2 3 1 三洋半導体データシート N 3LN03SS N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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3ln03sstyp300v180mait07518+6it07516it07514it07519it07521d2006it08161
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