TRANSISTORE Search Results

CFY19-22

Abstract: CFY19 Dual-Gate* bf981 bf987
Contextual Info: "sIEMENS AKTIENGESELLSCHAF bOE I> • SEBSbDS DDS1M7M S34 «SIEfi 'T'dó'M SIEMENS Transistoren Transistors MOS Feldeffekt-Transistoren Type MOS Field-Effect Transistors Maximum Ratings Characteristics TA= 25° C ^ds V ¡d mA P,o. G ps mW dB ' * I' c' ' '

Contextual Info: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF LOE ]> • 023SbOS G D S m ? S M7D I1SIE6 SIEMENS Transistoren Transistors AIGaAs/GaAs HEMTs AIGaAs/GaAs HEMTs Characteristics TA = 25° C Maximum Ratings E mW 9m mS 70 180 40 ¿> P o Type 70 180 40 -3.0.0 60 180 50 70 200 40

MMBTA05

Abstract: MMBTA06 MMBTA55 MMBTA56
Contextual Info: MMBTA55 . MMBTA56 MMBTA55 . MMBTA56 General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2006-08-09 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 1.1 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Contextual Info: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der

reedrelais

Abstract: zu 109 reedschalter
Contextual Info: MEDER electronic REEDSCHALTER IN RELAIS Der Reedschalter als Schaltelement in einem Reedrelais Wird der Reedschalter in einem Reedrelais verwendet, erzeugt man das Magnetfeld durch eine Kupferspule. Abb. # 1 zeigt die einfache Wirkungsweise. Reedrelais benötigen in der Regeleine relativ geringe Steuerleistung und können durch Transistoren, TTL-Logik oder

tfk 731

Abstract: N100700 bcy 79 BCY58 BCY 65 BCY 59
Contextual Info: BCY 58 • BCY 59 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Allgem ein und NF-Verstärker Applications: General and AF am plifiers Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 1 W 0 Power dissipation 1 W

mosfet bf 966

Abstract: smd bf BF965 BF963 Marking fs sot mg sot-143 BF964S marking 16 sot143 BF96
Contextual Info: -T -3 I-Ä S SIEMENS AKTIENGESELLSC HAF ÖE3SbOS GDSb27'i 4 « S I E G M7E » HF-MOS-Transistoren / RF MOS Transistors N-Channel MOSFET Tetrodes Plastic Package Type Max. ratings Characteristics CO Ï? P.O. G ps > mA mW mS Package Fig. F dB V mA f MHz dB 16.5

103MA

Abstract: 1D2 SOT-23 BCW68 BCW58 BCW57A BCW57 OES45 JR-101
Contextual Info: BCW 67 BCW 68 PIMP-Transistoren für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen BCW 67 und BCW 68 sind epitaktische PNP-Silizium -Planar-Transistoren m it Plastikum­ hüllung 23 A 3 DIN 41 86 9 S O T -2 3 für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen. Sie

transistor B 560

Abstract: TRANSISTOR BC 136 BC560 TRANSISTOR BC 560 TRANSISTOR BC 135 IC 7414 transistor c-133 2493 transistor transistor Bc 82 ic 7414 cm
Contextual Info: BC 559 * BC 560 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon PNP Epitaxial Planar AF Transistors Anwendung: Rauscharme Vorstufen Application: Low noise prestages Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 500 m W • Power dissipation 500 m W

TFK BC

Abstract: TFK 110 TFK 309 TFK 727 tfk 4 309 tfk 238 BC109 tfk bc108 BC107 TFK 330
Contextual Info: BC 107 • B C 1 0 8 - B C 109 BC 237 • BC 238 • BC 239 'W Silizium-NPN-Epitaxial -Planar NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: NF-Vor- und Treiberstufen A p p lic a tio n s : AF pre and driver stages Features: Besondere Merkmale:

Contextual Info: BDY 12 BDY13 Sta tisc h e Ken ndaten TQ = 25 °C Die Transistoren B D Y 12 und B D Y 13 werden bei /c = 1 A und UCE = 1 V nach der statischen Stromverstärkung gruppiert und mit Zahlen der DIN-R-5-Normenreihe gekenn­ zeichnet. Für folgende Arbeitspunkte gilt:

BF259

Abstract: bf 233 BF257 BF 235 BF258 BF258-BF259 bf 258 bf 236 A1233
Contextual Info: Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Video-Endstufen in Schwarz-Weiß- und Farb-FS-Empfängern. Schaltungen mit hoher Betriebsspannung Applications: Video power stages in black and white and colour TV receivers.

c 337 25

Abstract: NPN 337 bc 170 c BC 337 bc 170 BC338 bc337 bc 338 npn bc 337 AF200
Contextual Info: BC 337 * BC 338 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: T reiber und Endstufen Applications: D river and p o w e r stages Features: Besondere Merkmale: • Verlustleistung 625 mW • In G ruppen so rtie rt

2N929

Abstract: 2N930 929-2N
Contextual Info: 2 N 929 • 2 N 930 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: Rauscharme NF-Verstärker Applications: Low noise AF am plifiers Besondere Merkmale: Features: • Besonders rauscharm bei kleinen Kollektorström en

BD185

Abstract: BD189 2DIN125A din 125a 187BD BD188 c 36 to bd 25 m BD190
Contextual Info: w BD185 • BD187 - BD189 Silizium-NPN-Epibasis-Transistoren Silicon NPN Epibase Transistors Anwendungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Audio amplifier, driver and output stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Spitzenleistung

BC160

Abstract: bc 160 BC161 TFK BC TFK 175 TFK 236 bc 141
Contextual Info: ip ^ B C 160- BC 161 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon PNP Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: NF-Verstärker und Schalter Applications: AF am plifiers and switches Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 3,2 W • Power dissipation 3.2 W

BCY 59

Abstract: BCY 12 BCY58X BCY 85 BCY59 BCY59X BCY58 BCY58-VIII Ucesat BCY 58
Contextual Info: N P N -Transistoren fü r N F -V o r- und T re ib erstu fen sow ie S ch alteran w en dungen - BCY 58 BCY 59 BCY 65 E BCY 58, BCY 59 und BCY 65 E sind epitaktische NPN-Silizium -Planar-Transistoren im Gehäuse 18 A 3 DIN 41 876 T O -1 8 . Der Kollektor ist m it dem Gehäuse elektrisch ver­

transistor BC 549

Abstract: transistor BC 550 TRANSISTOR BC 550 c TRANSISTOR BC 550 b TFK BC BC549 BC550 TRANSISTOR BC 135 BE550 TRANSISTOR BC 620
Contextual Info: BC 549 - BC 550 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendung: Rauscharme V orstufen Application: Low noise prestages Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 500 mW • Power dissipation 500 m W

BF679

Abstract: BF679S bf 679
Contextual Info: BF 679 S Silizium-PNP-HF-Transistoren Silicon PNP RF Transistors Anwendungen: R egelbare U HF/VH F-Eingangsstufen Applications: G ain controlled UHF/VHF input stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Verstärkung • H igh pow e r gain • Kleine R auschzahlen

BFX59

Abstract: Transistor BFX 25 BFX59F
Contextual Info: B F X 59 B F X 59 F N PIM -Transistoren fü r Treiber- und Endstu fen in A ntennenverstärkern BFX 59 und BFX 59F sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-HF-Transistoren im Gehäuse 1 8 A 4 DIN 41876 TO-72 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Die Tran­

MEM511

Abstract: MEM511C diode a60 MEM556 mem556c 2N4120 517C 520C 556C MEM561C
Contextual Info: OS TRANSISTOREN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS V br oss V(br) gss Volts V( br) dg Min Volts Min Volts Min Power Dis. 25°C Amb mW Max -30 -2 5 —30 -3 0 -3 0 -2 5 -3 0 -2 5 -5 0 -4 5 -3 5 -3 0 -3 0 -2 5 -2 5 -2 0 -3 0 -4 0 -4 0 -4 0 -4 0 -3 5 -3 0 -4 5

PN2907A

Abstract: 2N2907A 2N2907A die 10D3 2N2222A PN2222A 2n2222a to 92 TO-92 Gehause 2N2907A plastic
Contextual Info: PN2907A / 2N2907A PN2907A / 2N2907A General purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2005-11-21 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 E BC 2 x 2.54 Dimensions / Maße [mm] 625 mW

k2645

Abstract: k4005 U664B mosfet k4005 MB8719 transistor mosfet k4004 SN16880N stk5392 STR451 BC417
Contextual Info: 1 BHIAB Electronics Du som söker besvärliga IC & transistorer, börja Ditt sökande hos oss – vi har fler typer på lager än man rimlingen kan begära av ett företag Denna utgåva visar lagerartiklar men tyvärr saknas priser och viss information Men uppdatering sker kontinuerligt

ta7317

Abstract: TA7311
Contextual Info: I Power Transistore 2N5490-2N5497 353 7 HHAS File N um ber HARRIS SEMICOND SECTOR 27E I> M302271 G 0 n ò 7 M TERMINAL DESIGNATIONS Silicon N-P-N VERSAWATT Transistors G e n e r a l-P u rp o s e T y p e s fo r M e d iu m -P o w e r S w itc h in g an d A m p lifie r A p p lic a tio n s