TRANSISTOR BEK Search Results

BT diode

Abstract: ECONOPACK mounting instructions bsm 25 gd 1200 n2 bsm 75 gd 120 n2 bsm 50 gd 120 n2 calculation of IGBT snubber siemens igbt BSM 200 GA 120 BSM15GD120DN2 diode bym 26 siemens igbt BSM 100
Contextual Info: Technische Angaben Technical Information SIEMENS 1 Übersicht IGBT-Module 1 O verview IG BT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V,

transistor vergleichsliste

Abstract: OC44 AD149 ASZ16 siemens transistor asy 27 AF124 ASZ15 GD241 transistor gc301 AC125F
Contextual Info: TRANSISTOR VERGLEICHSLISTE Teil 1: G erm anium transistoren ra d io -television T ran sistorvergleichsliste T eil 1 : G erm anium transistoren TRANSISTOR V E R G L E I C H S LI S T E T eil 1: G erin an iu u itran sisto ren M IL IT Ä R V E R L A G D E R D E U T S C H E N D E M O K R A T IS C H E N

bsm 25 gd 1200 n2

Abstract: bsm 75 gd 120 n2 siemens mosfet BSM 50 siemens igbt bsm 50 gd 120 n2 Thyristor Tabelle BSM15GD BSM15GD120DN 250068 BSM15GD120DN2
Contextual Info: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht IGBT-Module 1 Overview IGBT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V, 1200 V und 1700 V und im Strombereich

ST102

Abstract: LS38 Y-H8 846 transistor
Contextual Info: SILICON TRANSI STOR CORP SbE D 0254022 OOOQ^TQ 31N « S T C SILICON TRANSISTOR CORPORATION Katrina Road Chelmsford, Massachusetts 01824 Telephone: 508-256-3321 FAX: 508-250-1046 A POWERHOUSE 400 VOLTS 0.33 OHMS QUAD N CHANNEL POWER MOSFET DEVICE TYPE STQ402

LS29

Abstract: TRANSISTOR mosfet
Contextual Info: SILICON TRANSISTOR CORP Ô2S4G25 St.E D DGDG'ì'ìb Ô3 2 « S T C \ 'Z ° \ 'Z n SILICON TRANSISTOh CORPORATION Katrina Road Chelmsford, Massachusetts 01824 Telephone: 508-256-3321 FAX: 508-250-1046 A POWERHOUSE 100 VOLTS 075 OHMS QUAD N CHANNEL POWER MOSFET

M54533P

Abstract: 251C relay 101-100 154 Diode Mitsubishi VKST
Contextual Info: • b3E b EM^Û E? D G ISG IB M ITSU B ISH I DGTL f iñb ■ M I T 3 MITSUBISHI BIPOLAR DIGITAL ICs M54533P LOGIC 6-UNIT 320mA TRANSISTOR ARRAY W ITH CLAMP DIODE AND STROBE DESCRIPTION T h e M 54533P, 6 -c h a n n e l sink driver, consists of 12 N P N tran­

ku 606

Abstract: KT808AM transistor d 808 transistor kt transistor 805A 2110-B1 KT 805 RFT Transistoren KT808 2107B-2
Contextual Info: SERVICE-M ITTEILUNGEN VEB IN D U S T R IE V E R T R IE 8 R U N D F U N K U N D F E R N S EH EN ra d io -television AUSGABE: SEITE 1-4 DATUM: 3.84 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / SI E I H B A U A N L E I T Ü H G für den äquivalenten ?DE-Steckbaustein mit Transistor, der die Rohre 6 Sch 5 P in den Sü-Paxbfernseh^eraten RADUGA 726/730 ersetzt«

ge-2 transistor

Abstract: transistor gt 322 MP 41 transistor drehkondensator transistor D 322 servicemitteilungen SERVICE-MITTEILUNGEN oszillator VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN GER-A
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB INOUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN r a d io -television AUSGABE: DATUM: 2/72 April 1972 Ersatzteilspezifikation für Koffersuper "Selena" Wir geben Ihnen nachstehend die Ersatzteilspezifikation für den Kofferempfänger "Selena" bekannt. Bitte verv/enden Sie bei der Be­

murrelektronik

Abstract: DIN EN 50035 MTW 11 output 110 V DC Pt-100-DIN 43760 STROM RELAIS M/triac 2060 10-polig 4...20 mA 0-5 ma output DC-13
Contextual Info: MIRO - Die Modulfamilie der neuen Generation ELEKTRONIK MIRO - die Modulfamilie der neuen Generation verbindet bekannte Vorteile mit innovativem, technologischem know how. Mit Koppelgliedern als Schnittstelle zwischen elektronischer Steuerung und peripheren Geräten ist eine optimale

AM422-1

Abstract: AM422 100KPG Sensorsystems
Contextual Info: Kostengünstige Drucksensoren mit Stromausgang Neben den einfachen piezoresistiven Drucktransducern montierte Druckmeßzellen , deren Temperaturabhängigkeit und Signalverhalten hinreichend bekannt sind, werden von verschiedenen Herstellern (z.B. von Motorola, Keller oder Fujikura) unter anderem auch abgeglichene oder

Transistor Datenbuch

Abstract: siemens igbt siemens datenbuch
Contextual Info: Vorwort Mit diesem neuen Datenbuch stellen wir Ihnen unser aktuelles SIPMOS -Halbleiter-Produktspektrum vor. Das Buch beinhaltet alle derzeit bekannten Neuerungen und Verbesse­ rungen bzw. Weiterentwicklungen auf diesem Gebiet. Mit der Herausgabe dieses Datenbuches werden alle vorhergehenden Ausgaben ungültig.

TESLA KY 703

Abstract: TESLA NU 73 service-mitteilungen servicemitteilungen 2 PN 66 145 silizium diode "service-mitteilungen" Tesla Scans-048 Leipzig
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN V EB IN D U ST R IE V E R T R IE B RU N D FU N K UND FE R N SE H E N r a d i o -television Als Weiterentwicklung des bekannten Rundfunkgerätes SELECT wird aus der Sozia­ listischen Republik Rumä­ nien der Heimempfänger R O Y A L AUSGABE:

ladungspumpe

Abstract: spannungsregelung drossel 13041 TRANSISTOR schaltregler Spannungsregler
Contextual Info: Grundlagen Technische Informationen Topologien Topologien Spannungsregelung 13084 Ferroresonante Regelung Ii In der Ferroresonanztechnik erfolgt die Leitungsregelung mit einer resonanten Ladungspumpe, die zugleich für die galvanische Trennung zwischen Ein- und Ausgang verantwortlich ist.

diode sy 162

Abstract: SC236D 6P14P diode sy SF 127 C GF147S 6D22S 6P45S ECC88 6n23p
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN DUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN iR iU ii 1r a d i o - t e i e v i s l o n I SEITE JUNI 1 9 8 1 b 1 - 7 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / S SERVICE-ANLEITUNG zum Translstor-Taschenempfänger "Signal 402"

smd-transistor DATA BOOK

Abstract: triac ansteuerung smd-transistor SMD transistors Relais datenblatt RGS 13 simple circuit diagram of electronic choke SITAC P-Channel Depletion Mode Field Effect Transistor SMD transistor Mo Siemens varistor family
Contextual Info: Technische Angaben Technical Information SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.

AFC8513

Abstract: afpxc30pd E30R 60870-5-104 FP0-E32RS FP0E32RS fp-x c14r AFPX-a21 AFPX-C60TD optokoppler PNP
Contextual Info: FP-X Serie Speicherprogrammierbare Steuerungen 02/2008 Leistungsstark Leistungsstark Vielfältige Erweiterungsmöglichkeiten und hohe Geschwindigkeit Schnellste Befehlsabarbeitung Die Befehlsbearbeitungszeit für einen Basisbefehl beträgt 0,32 s ca. 2ms für 5000 Schritte *1

siemens Transistoren

Abstract: induktive triac ansteuerung smd transistors SIPMOS application note BSS98 equivalent Siemens Halbleiter Bauelemente Siemens Halbleiter
Contextual Info: Technische Angaben Technical Information SIEMENS SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS® Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.

VEB mikroelektronik

Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
Contextual Info: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP

TL497A

Abstract: konstant stromquelle eb118 schaltregler EB118A schaltbeispiele
Contextual Info: EB118A Spannungswandler EB118 INTEGRIERTER SCHALTSPANNUNGSREGLER TL497A Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 01.04.1987 Rev.: * Überarbeitet: 18.04.1995 1 Applikationslabor EB118A Spannungswandler Dieser Bericht beschreibt die Anwendung des Schaltspannungsreglers

500 DKZ

Abstract: TFK 4 314 valvo TELEFUNKEN* U 111 B str w 6052 tfk 1007 tfk 014 Schwingquarz Telefunken TFK S 417 T valvo transistoren
Contextual Info: TELEPO RT VI ein Sprechfunkgerät für das 80-, 100- und 150/160-MHz-Band Kanalraster 50, 25 und 20 kHz Beschreibung A H /B s -V 300 657/1 Teile 1, 2, 3, 4, 5, 6 Nachdruck, auch auszugsweise, verboten 765 kn Mo Technische W eiterentwicklung Vorbehalten Inhalt

VEB mikroelektronik

Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik applikation Mikroelektronik Information Applikation a4100d "information applikation" Dioden SY 250 "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk
Contextual Info: m ö tk n n ^ e le l-c fa n a riil-c Information Applikation ~ in^joNFiggelB k tana n lk Information Applikation H e f t 4 2 : IBISÜIKSSELSKlHOlflK 5 j BijlQiaXßX leiatimgsgchalttranaiatpp ¡teil 1 vab hnlbleiterwark Trankfurt /od«f> im v a b k o m b in a t m ik r t M la k t r o n ü c

Contextual Info: W E N Radiometrix Hartcran House, 231 Kenton Lane, Harrow, HA3 8RP, England 21 August August 2008 Tel: +44 0 20 8909 9595, Fax: +44 (0) 20 8909 2233 NBEKNBEK-000000-xxx N BEK Cont rolle r As 1 2 0 0 Ba ud M ode m The Narrow band Evaluation Kit (NBEK) IC can be used as 1200baud half-duplex serial modem

kd226

Abstract: KD522B transistor c 6073 transistor KT 209 M transistor kt 801 KD226B KT805AM Diode KD 521 a transistor KT 209 4413.13-02
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B RFT I N D U S T R I E V E R T R I E B ¡D j RUNDFUNK UND F E R N S E H E N raa/o te/ev/s/on | - Ausgabe 1968 M am 4-5 Seite 1 - 8 Mitteilung aus dem VEB RFT IV RuF Leipzig/S 1. Regenerierung von UKW-Tunern 1.1. Allgemeine Informationen

N60S5

Abstract: triac ansteuerung 3.5kw pfc smps 450W 2kw mosfet mos sot223, 300v SPN-25 mosfet 1000v smps 5kw 2kw pfc welding
Contextual Info: COOLMOS TM COOLMOSTM von SIEMENS* Ein Quantensprung in der Hochvolt MOSFET-Technologie macht Anwenderträume wahr Lorenz L., März M., Deboy G. Power-MOSFET zählen seit nunmehr 20 Jahren zu den bedeutendsten Komponenten in der Transistorwelt. Mit einem Marktvolumen von 1.4 Mrd. US$ in 1997 und einem prognostizierten