TRANSISTOR AL FM Search Results
TRANSISTOR AL FM Result Highlights (5)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Download | Buy |
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BLA1011-2 |
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Avionics LDMOS transistor |
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RX1214B300YI |
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RX1214B300Y - Microwave Power Transistor |
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CA3127MZ |
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CA3127 - Transistor Array |
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RX1214B130YI |
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NPN microwave power transistor |
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MX0912B251Y |
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NPN microwave power transistor |
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TRANSISTOR AL FM Datasheets Context Search
Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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FMW5
Abstract: UMW5N FMW5 T148 T148 T149 e26w npn transistor w5 7626 transistor
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g10mV. S10mV. FMW5 UMW5N FMW5 T148 T148 T149 e26w npn transistor w5 7626 transistor | |
Contextual Info: FF 150 R 12 KL Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,055 Rthjc DC, pro Baustein / per module DC, pro Baustein / per module 0,11 0,03 pro Baustein / per module 0,06 pro Baustein / per module |
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R1200 FFrtOR12COKFf> 34032T? D002D45 | |
R1200Contextual Info: FF 150 R 12 KL Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,055 Rthjc DC, pro Baustein / per module DC, pro Baustein / per module 0,11 0,03 pro Baustein / per module 0,06 pro Baustein / per module |
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R1200 FFrtOR12COKFf> 34032T? D002D45 | |
Contextual Info: FF 50 R 12 KL Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte VcES Maximum rated values Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,155 "C/W Rthjc DC, pro Baustein / per module C/W DC, pro Baustein / per module |
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10-2I-- | |
kl2 t1 transistorContextual Info: FF 50 R 12 KL Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte VcES Maximum rated values Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,155 "C/W Rthjc DC, pro Baustein / per module C/W DC, pro Baustein / per module |
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10-2I-- kl2 t1 transistor | |
Contextual Info: FF 300 R 06 KF 2 Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,05 DC, pro Baustein / per module 0,10 DC, pro Zweig / per arm pro Baustein / per module 0,03 RthCK 0,06 pro Zweig / per arm Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties |
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3403HT7 | |
Contextual Info: FF 200 R 06 KF 2 Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,08 DC, pro Zweig / per arm 0,16 pro B au stein / per module 0,03 RthCK pro Zweig / per arm 0,06 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties |
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FF500 | |
44t transistorContextual Info: FS 15 R 06 KFS Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte V ces Maximum rated values 600 V 15 A lc Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 2,27 ~*thJC DC, pro Zweig / per arm |
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Contextual Info: FF 100 R 12 KF Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rthjc DC, pro Baustein / per module 0,075 DC, pro Z w e ig / per arm 0,15 RthCK pro Baustein / per module 0,04 pro Zweig / per arm 0,08 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties |
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R1200KF | |
transistor KF
Abstract: diode 182
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R1200KF transistor KF diode 182 | |
Contextual Info: FF 200 R 12 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hochstzulässige W erte Maximum rated values V ces Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0 ,0 4 8 R th J C DC, pro Zweig / per arm |
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R1300 FFM0R12KF2 12SPC, | |
Contextual Info: FS 100 R 06 KF 3 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties VcES Maximum rated values 600 V 100 A lc Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,047 :'C /W Rthjc DC, pro Baustein / per module DC, pro Zweig / per arm 0,280 C/W |
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Contextual Info: FF 25 R 12 KF Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rthjc DC, pro B austein/p e r module 0,25 0,5 DC, pro Zweig / per arm 0,06 RthCK pro Baustein /p e r module 0,12 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties H öchstzulässige W erte |
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34D32CI7 | |
Contextual Info: FF 200 R 12 KF Therm al properties Therm ische Eigenschaften 0,044 C/W DC, pro Baustein / per module 0,088 C/W DC, pro Zweig / per arm 0,03 °C/W pro Baustein / per module 0,06 °C/W pro Zweig / per arm Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties |
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Contextual Info: FF 50 R 06 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte Maximum rated values 600 V c es Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,25 R th J C 0,50 DC, pro Zweig / per arm |
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3M035T7 | |
vqe 23 cContextual Info: FF 200 R 12 KF Therm al properties Therm ische Eigenschaften 0,044 C/W DC, pro Baustein / per module 0,088 C/W DC, pro Zweig / per arm 0,03 °C/W pro Baustein / per module 0,06 °C/W pro Zweig / per arm Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties |
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ODD1173
Abstract: FF200R06KF2 FF200R06KF FF500 15fis Scans-0031044 FF200R06
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00R600 FF20DN FF500 ODD1173 FF200R06KF2 FF200R06KF 15fis Scans-0031044 FF200R06 | |
Contextual Info: FF 200 R 06 KF 3 Transistor Transistor Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,07 DC, pro Baustein / per moduie RthJC 0,14 DC, pro Z w e ig /p e r arm 0,03 pro Baustein / per moduie RthCK 0,06 pro Zweig / per arm Elektrische Eigenschaften Electrical properties |
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FF2MR06KF3. | |
kf 202 transistorContextual Info: FF 100 R 06 KF 3 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte V qes Maximum rated values 600 V 100 A le Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,140 °C/W 0,280 C/W DC, pro Zweig / per arm |
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12EFC, kf 202 transistor | |
25CCContextual Info: FS 50 R 06 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rjhjc DC, pro B a u ste in /p e r module 0,084 °C/W DC, pro Zweig / per arm 0,5 °C/W Maximum rated values |
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3M032< 25CC | |
TVR06
Abstract: n50t
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transistor 184Contextual Info: FS 100 R 06 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften 1E lectrical properties Hochstzulässige W erte V ces Maximum rated values 600 V 100 A Ic Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,052 R th J C DC, pro Zweig / per arm |
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FF100R12KF2Contextual Info: FF 100 R 12 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,095 3C/W Rthjc DC, pro Baustein / per module 0,19 DC/W DC, pro Zweig / per arm 0,04 C/W RthCK pro B a u ste in /p e r module |
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FF100R12KF2 | |
Contextual Info: FS 25 R 12 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hochstzulässige W erte Maximum rated values V Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rtwc DC, pro B a u ste in /p e r module 0,104 °C/W DC, pro Z w e ig /p e r arm |
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