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    TESLA TRANSISTOR Search Results

    TESLA TRANSISTOR Result Highlights (5)

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    BLA1011-300
    		Rochester Electronics LLC BLA1011-300 - 300W LDMOS Avionics Power Transistor PDF Buy
    54F151LM/B
    		Rochester Electronics LLC 54F151 - Multiplexer, 1-Func, 8 Line Input, TTL PDF Buy
    ICL7667MJA
    		Rochester Electronics LLC ICL7667 - Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, CMOS, CDIP8 PDF Buy
    93L422ADM/B
    		Rochester Electronics LLC 93L422A - 256 x 4 TTL SRAM PDF Buy
    93425ADM/B
    		Rochester Electronics LLC 93425 - 1K X 1 TTL SRAM PDF Buy

    TESLA TRANSISTOR Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    KF520

    Abstract: KT725 diac kr 206 KT707 KD502 kt201 KT206-200 KU607 KYS 30 40 diode KT784
    Contextual Info: TESLA ECIMEX, a. s. T E /1 \L /I Sem iconductor Discrete Devices Sem iconductor Discrete Devices CONTENTS . 3 TRANSISTORS. 5


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    KF 517

    Abstract: transistor KF 517 Transistoren DDR service-mitteilungen KF517 transistor gt 322 b1 Ziphona bauelemente DDR servicemitteilungen KT326B
    Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U ST R IE V E R T R IE B R U N D FU N K UND FE R N SE H E N piy!E§HÜ [r a d io -television] APRIL 1976 S5ITS 1-8 SHJLENBANDGERÄT "B 90” TESLA - .B 90" Zu den Importen bei Spulentonbandgeräten wird künftig auch das TESLA-Erzeugnis "B 90"


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    TESLA BP 4651

    Abstract: tesla bm 388e TESLA TESLA BM 429 4090 dm hf nu bp 4490 BM 445E BP4650 tesla transistoren TESLA BS 488 ELEKTROMAGNET MIT STABILISIERTEM
    Contextual Info: Fertigungssortiment ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE ELEKTRONENMIKROSKOPE NMR SPEKTROMETER EINHEITLICHE KLASSIFIKATION: FACHGEBIET391 TESLA BRNO NATIONALUNTERNEHMEN INHALT 39111 - ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE FÜR SPANNUNGEN UND ABGELEITETE GROSSEN K L A S S IF IK A T IO N


    OCR Scan     		FACHGEBIET391 TESLA BP 4651 tesla bm 388e TESLA TESLA BM 429 4090 dm hf nu bp 4490 BM 445E BP4650 tesla transistoren TESLA BS 488 ELEKTROMAGNET MIT STABILISIERTEM PDF

    maa 502

    Abstract: Tesla katalog MAA723 Halbleiterbauelemente DDR TAA 141 TESLA KF520 transistor vergleichsliste maa 503 Maa 325
    Contextual Info: Klaus K. Streng Analoge Integrierte Schaltungen von T E SL A electrónica • Band 142 Klaus K. Streng Analoge Integrierte Schaltungen von TESLA MILITÄRVERLAG DER DEUTSCHEN DEMOKRATISCHEN REPUBLIK 1. Auflage, 1976, 1/— 15. Tausend M ilitärverlag der Deutschen Dem okratischen Republik


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    service Tesla B 100

    Abstract: Lautsprecher LP service-mitteilungen Radio Fernsehen Elektronik VEB Keramische Werke servicemitteilungen GER-A keramische Werke Hermsdorf VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN service tesla
    Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEH EN 9 != ! r a d i o -television SEITE AUSGABE: JUNI 1 - Das Vollstereo-Tonbandgerät TESLA B 100 zählt zu den Im­ porten des Jahres 1974• Das Gerät ist als Spulen-Bandgerät konzipiert und verfügt über zwei


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    ML48241

    Contextual Info: FIGURE 1: SCHEMATIC DIAGRAM TABLE 1: ELECTRICAL SPECIFICATIONS AT 25 OC A 1:1 GATE DRIVE TRANSFORMER. DESIGNED FOR USE WITH 2-TRANSISTOR SINGLE ENDED FOWARD CONVERTER CONTROL I.C.'S SUCH AS MICRO LINEAR'S ML4824 AND UNITRODE'S 3845. B) PART IS REVERSIBLE. IT CAN BE INSERTED INTO PCB EITHER WAY.


    Original     		ML4824 200Vrms 100KHz PMGD-03 TSD-736) ML4824-1 ML48241 PDF

    tesla potentiometer

    Abstract: sy320 service Tesla B 100 TESLA AM -piezofilter say 30 t197 transistoren von tesla service-mitteilungen sy 200
    Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U ST R IE V E R T R IE B R U N D FU N K U N D F E R N S E H E N ¡ B f t j |r a d i o JANUAR «fl SEITE 1976 1 1-6 -teievision 1 MITTEILUNG AUS DSM VEB STERN-RADIO SONNEBERG KOMBINAT STERN-RADIO BERLIN nach den gültigen Unterlagen


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    ugn3013

    Abstract: D2903 tesla switch TL3013C TESLA transistor
    Contextual Info: TL3013C SILICON HALL-EFFECT SWITCH D2903, SEPTEMBER 1 98 5 -R E V ISE D APRIL 1988 Magnetic-Field Sensing Hall-Effect Input LU P A C K A G E ITO P V IEW On-Off Hysteresis Small Size Standard Bipolar Technology Minimizes ESD Susceptibility • lOL • • ■ 20 mA Min at V o L “ 0.4 V


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    TESLA transistor

    Abstract: ugn3040 UGN-3040
    Contextual Info: ADVANCE INFORMATION TL3040C SILICON HALL EFFECT SWITCH D 2903, O CTO BER 1985 • Magnetic-Field Sensing Hall-Effect Input • On-Off Hysteresis • Small Size • Standard Bipolar Technology Minimizes ESD Susceptibility • lOL - • • 20 mA Min at V o l = 0-4 V


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    TL3019

    Abstract: TESLA transistor TL3019C UGN3019 D2903 Tesla sensor
    Contextual Info: TL3019C SILICON HALL EFFECT SWITCH D2903, JULY 1 9 8 5 — REVISED APRIL 1988 Magnetic-Field Sensing Hall-Effect Input LU P A C K A G E TOP VIEW On-Off Hysteresis • Small Size • Standard Bipolar Technology Minimizes ESD Susceptibility • Io l • • ■ 20 mA Min at V o L “ 0-4 V


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    REMA

    Abstract: granat 216 Sonneberg DIODE ga TESLA transistor Kombinat VEB A 301 transistor KF 507 tesla 516 maa 550 service-mitteilungen
    Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U S T R I E V E R T R I E B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N JUL./AUG. 19 7 6 m SEITE 01-10 inämiy 1R A D io -teievlsion 1 GRANAT 516 Ein Exponat der Leipziger Frühjahrsmesse 1976, das in einer kleinen Menge noch im III. Quartal an den Handel ausgeliefert wird, war die


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    VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN

    Abstract: service-mitteilungen unitra industrievertrieb Servicemitteilungen ddr veb Scans-048 "service-mitteilungen" Leipzig S2562
    Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN D U ST RI EV ER TR IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N ra d io -television SEITE AUSGABE: APRIL 1-8 Der Autoempfänger "SPIDER" ist ein Import-Erzeugnis aus der CSSR. Er zeichnet sich durch besonders kleine Abmessungen


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    TL172

    Abstract: TL172C
    Contextual Info: TL172 C N O R M A LLY O FF SILICON H A LL-EFFEC T SW ITCH D2490, AUGUST 1977-RE VIS E D APRIL 1988 • Magnetic-Field Sensing Hall-Effect Input • On-Off Hysteresis • Small Size • Solid-State Technology • Open-Collector Output • Normally Off Switch


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    tl170 hall effect

    Abstract: tl170 hall TL170C TL170 CT SENSOR AX2535
    Contextual Info: TL170C SILICON HALL-EFFECT SWITCH • Magnetic-Fleld Sensing Hall-Effect Input • On-Off Hysteresis • Small Size • Solid-State Technology • Open-Coilector Output D24Q8, DECEMBER 1977. REVISED APRIL 1988


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    TL170

    Abstract: TL170C TESLA transistor l170c TL 170C
    Contextual Info: TL170C SILICON HALL-EFFECT SWITCH D 2 4 0 8 , DECEMBER 1 9 7 7 , REVISED APRIL 1 9 8 8 • Magnetic-Field Sensing Hall-Effect Input • On-Off Hysteresis • Small Size • Solid-State Technology • Open-Collector Output description The TL 170C is a low-cost magnetically operated


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    tl3101

    Abstract: TL3101C TL3101I TESLA transistor
    Contextual Info: TL3101I, TL3101C SILICON HALL-EFFECT SWITCH A P R IL 1 9 8 5 — R E V I S E D A P R IL 1 9 8 8 • Magnetic-Field Sensing Hall-Effect Input • On-Off Hysteresis • Small Size • Solid-State Technology • Open-Collector Output • LU P A C K A G E T O P V IE W


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    scans-048

    Abstract: DSAGER00065
    Contextual Info: 2.2. Netztransformator Prinzip Mit Hilfe des Netztransformators wird die erforderliche Wech­ selSpannung U<z~ für die Gleichrichterschaltung bereitgestellt. Das Grundprinzip des Transformators beruht auf der Umwand­ lung elektrischer Energie aus dem Wechselstromnetz mit Ui ~ =


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    Ferroxcube 3C8

    Abstract: 204T250-3C8 pulse transformer driver ic Amp. mosfet 1000 watt MPS-U10 application note gate driver for h bridge mosfet core 3c8 U 126 204T250 ac step-up transformer winding awg
    Contextual Info: U-127 APPLICATION NOTE UNIQUE CHIP PAIR SIMPLIFIES ISOLATED HIGH SIDE SWITCH DRIVE John A. O’Connor Application Engineer Motor Control Circuits Abstract High voltage, high current N-channel MOSFETs, now widely accepted in the industry, have found their way into numerous high power designs. As their cost to performance ratio continually improves, gate drive


    Original     		U-127 UC3724/UC3725, U-110 U-126 Ferroxcube 3C8 204T250-3C8 pulse transformer driver ic Amp. mosfet 1000 watt MPS-U10 application note gate driver for h bridge mosfet core 3c8 U 126 204T250 ac step-up transformer winding awg PDF

    Ferroxcube 3C8

    Abstract: U-127 204T250-3C8 Dual secondary Transformer UNITRODE U-124 Unitrode U-127 CURRENT TRANSFORMER Isolated mosfet gate drive circuit Amp. mosfet 1000 watt coupler MOSFET DRIVER application note
    Contextual Info: U-127 APPLICATION NOTE UNIQUE CHIP PAIR SIMPLIFIES ISOLATED HIGH SIDE SWITCH DRIVE John A. O’Connor Application Engineer Motor Control Circuits Abstract High voltage, high current N-channel MOSFETs, now widely accepted in the industry, have found their way into numerous high power designs. As their cost to performance ratio continually improves, gate drive


    Original     		U-127 UC3724/UC3725, Ferroxcube 3C8 U-127 204T250-3C8 Dual secondary Transformer UNITRODE U-124 Unitrode U-127 CURRENT TRANSFORMER Isolated mosfet gate drive circuit Amp. mosfet 1000 watt coupler MOSFET DRIVER application note PDF

    500 watt power circuit diagram uc3825

    Abstract: AXP 202 AXP 192 1N4465 unitrode Applications Note U-107 u107 SEM500 USD1140 tesla diode ZENER 500 watt power circuit diagram uc3825 U-110 CURRENT MODE CONTROLLED WATT POWER SUPPLY
    Contextual Info: U-110 _ U N IT R O D E APPLICATION NOTE 1.5 MHZ CURRENT MODE IC CONTROLLED 50 WATT POWER SUPPLY Abstract Introduction This application note highlights the development of a 1.5 megahertz current mode IC controlled, 50 watt power supply. Push-pull topology is


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    service-mitteilungen

    Abstract: "service-mitteilungen" servicemitteilungen Mitteilung VEB RFT funkschau ASZ1015 Stassfurt RFT service-mitteilungen servicemitteilungen rft scans-048
    Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN D U ST RI EV ER TR IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N r a d io -television AUSGABE: SEPTEMBER 9/75 SEITE 1-6 Mitteilung aus dem VEB Fernsehgerätewerke Staßfurt COLOR 21/22 - mit X-Kennzeichnung vor der Seriennummer Im IV.Quartal 1975 werden technische Änderungen im Chassis des


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    ku 606

    Abstract: KT808AM transistor d 808 transistor kt transistor 805A 2110-B1 KT 805 RFT Transistoren KT808 2107B-2
    Contextual Info: SERVICE-M ITTEILUNGEN VEB IN D U S T R IE V E R T R IE 8 R U N D F U N K U N D F E R N S EH EN ra d io -television AUSGABE: SEITE 1-4 DATUM: 3.84 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / SI E I H B A U A N L E I T Ü H G für den äquivalenten ?DE-Steckbaustein mit Transistor, der die Rohre 6 Sch 5 P in den Sü-Paxbfernseh^eraten RADUGA 726/730 ersetzt«


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    500 watt power circuit diagram uc3825

    Abstract: H7C4 TDK CORE H7C4 SEM-400 SEM500 UC3825 push pull dc to dc converter H7C4 permeability UFN633 SEM400 H7C4 EE
    Contextual Info: U-110 APPLICATION NOTE 1.5 MHZ CURRENT MODE IC CONTROLLED 50 WATT POWER SUPPLY Abstract Introduction This application note highlights the development of a 1.5 megahertz current mode IC controlled, 50 watt power supply. Push-pull topology is utilized for this DC to DC converter application of


    Original     		U-110 UC3825 500 watt power circuit diagram uc3825 H7C4 TDK CORE H7C4 SEM-400 SEM500 UC3825 push pull dc to dc converter H7C4 permeability UFN633 SEM400 H7C4 EE PDF

    Hall sensors Siemens

    Abstract: hall sensor siemens Siemens Hall K/tesla semiconductor Hall Hall Siemens
    Contextual Info: SIEMENS 3.1 Hall-Effect Sensors Fundamentals The Hall effect, so named after its discoverer Edwin Hall in 1879, is the result of the Lorentz force on moving electrons subjected to a magnetic field. Fig. 1a is a representation of the current flow in a material when no magnetic field is present. As


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