TEMPERATUR DDR Search Results

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Contextual Info: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Contextual Info: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
Contextual Info: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik

b589n

Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
Contextual Info: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: information applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR
Contextual Info: ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 Autor: Ing. Lutz Ehrhardt, Stahnsdorf Redaktion und Layout: Ing. Lutz Ehrhardt Heinz Schulz Umschlag: Peter Hoffmann RedaktionsKommission: Heinz Schulz, Vorsitzender

transistor kp 303

Abstract: KP303A Datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik DDR D818G KP307A Thyristor T6N KP303D
Contextual Info: In n lD ÍN S r ^ e l e k t r o n l k - B a u e l e m e n t e Mir I r dei Dienstgebrauch !ä SS fil I f ! DATENBLATTSAMMUJNG :Jjj§ •■tai elektronische bauelem ente ìm m ttí H : ■ 51 52 mm i l 11 iS Mm L Â | B « : i ms 1 -% 11 ■IP & 1'86 Die vorliegenden Datenblatt®r d i e n m nur zojp Information« Sie

kt829a

Abstract: VEB mikroelektronik Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR information applikation mikroelektronik B4207D mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" KT 829 b
Contextual Info: 0=¡rúl[hE=°@Blel- t3nariilK e le k t r o n ik - b a u e t e m e n t e Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elek­ tronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" (LEB

AS8C801801

Abstract: AS8C803601
Contextual Info: 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs AS8C803601 AS8C801801 Address and control signals are applied to the SRAM during one clock cycle, and two cycles later the associated data cycle occurs, be it read or write.

D147D

Abstract: C520D vqb 71 VQB71 D347D d348d VQE23 D346D Halbleiterbauelemente DDR VQE24
Contextual Info: electronica ] Nullpunktabgleich [T j ~8~| Nullpunktabgleich | Eingang L [ u Masse l i Eingang H T I Betriebsarten - Umschaltung T ] LSD ( letztes Digit) integrations-C f/2 Endwertabgleich \l3 MSD (höchstwertiges Digit) Betriebsspannung Us Z I BCD-Ausgang OC

STk 412 120

Abstract: abe 433 STK 412 150 M STK 412 150 STK 412 240 M STK 412 240 SC70-Geh ZU SOT23-3 NIE sot23 stk 412 - 240
Contextual Info: REFERENCE Datenblätter • ANALOG 11 DESIGN GUIDE Anwendungsbeispiele • Kostenlose Muster Erste Spannungsreferenz im SC70-Gehäuse reduziert den Platzbedarf um 50% NEU Maxim’s LM4041 im SC70-Gehäuse ist halb so groß wie ein entsprechender Baustein von National!

information applikation

Abstract: information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation applikation heft A109D mikroelektronik DDR a 109 opv VEB mikroelektronik schaltungen 861 TAA 761 A
Contextual Info: m D ^ a r ^ i e l e l Information Applikation - c t e n a n i l - c m ik ^ o e le k t3r*anik Information Applikation Heft 22: OPERATIONS-VERSTÄRKER- IS Teil 2 veb halbleiterwepk fran k fu rt/o d er im v e b k o m b i n a t m ik ro e le k tro n U c KAMMER DER TECHNIK

WF Berlin

Abstract: DA 2045 "WF Berlin"
Contextual Info: ELEKTRONENRÖHREN B 23 M 1*' BILDROHRE in Fernsehempfängern für direkte Betrachtung Sockelschaltschema Kolben Allglasausführung max. Bildgröße 135 X 180 mm Leuchtfarbe des Schirmes weißlich Fokussierung elektromagnetisch Ablenkung elektromagnetisch * Röhre so ll nur noch fü r a u sla u fe n d e Produktion und N achbestückung

VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN

Abstract: service-mitteilungen unitra industrievertrieb Servicemitteilungen ddr veb Scans-048 "service-mitteilungen" Leipzig S2562
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN D U ST RI EV ER TR IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N ra d io -television SEITE AUSGABE: APRIL 1-8 Der Autoempfänger "SPIDER" ist ein Import-Erzeugnis aus der CSSR. Er zeichnet sich durch besonders kleine Abmessungen

GBR111

Abstract: Relais RGI tgl 200-3796 ddr veb TGL24 Scans-048 AU66 relais 154 TGL DDR der ddr
Contextual Info: Elektromagnetische Relais der Informationstechnik Relais NSF 30 Relais NSF 30 nach T G l 200-3796 gehören zu einer inter­ national weit verbreiteten und bewährten Ausführung von K leinrelcis. Vom Konstrukt'onsprinzip her sind sie den Kloppankerrelais zuzuordnen. Aufgrund der charakteristi­

ker 221

Abstract: elektronik DDR L8853 ddr veb hermsdorf Filter Hermsdorf Deutsche Post Scans-048 nf schaltungen bauelemente DDR
Contextual Info: K > A U S G A B E 1965 Abbildungen und W e rte gelten nur bedingt als Unterlagen für Bestellungen. Rechtsverbindlich Ist |eweils die Auftragsbestätigung. Änderungen Vorbehalten. E x p o r t e u r : Heim electric, Deutsche Export- und Importgesellschaft m .b .H ., 102 Berlin 2, Liebknechtstraße 14, DDR

Contextual Info: 6427525 N E C ELECTRONICS tiME75E!5 O G l f i W INC 9ÔD 18989 D -f- 3 ? W 3 1 |~ -••\.vs't.¿V-.-s:>•■*. V i r - v ,.-'•; - ? % § < , & V-ïÿ' ELECTRON DEVICE M O S " F I E L D ' 'E F F E~C T " T R Ä N S I S T 0 ?.~ /' • 2 S K F A S T

B084D

Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
Contextual Info: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations­ verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter­ bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen

selen-gleichrichter

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb
Contextual Info: CD AUSGABE GO 1971 I 5 2 CD • M H CD CD CD ■ SELEN­ FREIFLÄCHEN­ GLEICHRICHTER Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Gleichrichterwerk Großräsdien Information 20-1-71 Änderungen der allgemeinen und tech­ nischen Angaben, die durch die Weiter­

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Contextual Info: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der

diode SY 192

Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
Contextual Info: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«

Relais ITT

Abstract: DIODE 5TE elektronik DDR bauelemente DDR VEB M ik ro e le k tro n ik VEB Kombinat Transistoren DDR TRANSISTOR KATALOG translog Kombinat VEB A 281
Contextual Info: KOMBINAT VEB ELEKTRO- APPARATE - WERKE BERLIN-TREPTOW O ursalog G Digitale Bausteine M odul 20 In h a ltsverzeich n is Seite Allgemeine Übersicht Konstruktiver und funktioneller Aufbau Systemparameter Zusammenschaltregeln Betriebsdaten ursamat Gefäßsystem

KM684000ALG-7L

Abstract: KM684000ALT-5L km684000alg KM684000ALP-5L 32SOP KM684000ALP-5 KM684000ALP-7 KM684000ALP-7L
Contextual Info: KM684000A Family CMOS SRAM 512K x8 bit Low Power CMOS Static RAM FEATURES GENERAL DESCRIPTION • Process Technology : 0.4nm CMOS • Organization: 512Kx8 • Power Supply Voltage: Single 5V±10% • Low Data Retention Voltage: 2V Min » Three state output and TTL Compatible

CM320200DE

Abstract: CM3202-00DE mo-229 pad layout MARKING 3D regulator MARKING 3D regulator 5V 1N914 CM3202 CM3202-00SM MO-229 CM3202-00DE equivalent
Contextual Info: PRELIMINARY CM3202 DDR VDDQ and Termination Voltage Regulator Features Product Description • The CM3202 is a dual-output low noise linear regulator designed to meet SSTL-2 and SSTL-3 specifications for DDR-SDRAM VDDQ supply and termination voltage VTT supply. With integrated power MOSFET’s, the

MSD 7818

Abstract: MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN
Contextual Info: In n in ik ü r Q fâ lI Information Applikation RGW Typen­ übersicht + Vergleich TeiM UdSSR JitfÆÊL JUUUUUUL&JJJUL i m i n i ^ r ^ c z l c i c b p o n Information Applikation , 9 H E F T 4 9 * R G W T y p e n ü b e r s i c h t + V e r g l e i c h Teil 1