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svd4n65f Abstract: SVD4N65T SVD4N65M 4A650V svd4n65 TO-251-3L 2513L to2513l svd4n TO220F-3L Contextual Info: SVD4N65T/F/M 4A650V N沟道增强型场效应管描述 SVD4N65T/F/M N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具	Original	svd4n65t/f/m 4a650v 4a650vrds svd4n65t +10o-220-3l svd4n65f o-220f-3l svd4n65m svd4n65 to-251-3l 2513l to2513l svd4n to220f-3l	PDF

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Abstract: SVD4N65T SVD4N65M 4A650V svd4n65 TO-251-3L 2513L to2513l svd4n TO220F-3L
Contextual Info: SVD4N65T/F/M 4A650V N沟道增强型场效应管描述 SVD4N65T/F/M N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具

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svd4n65t/f/m 4a650v 4a650vrds svd4n65t +10

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