SIEMENS LUMINESZENZDIODEN Search Results

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 4580 SFH 4585 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1998-11-12 SFH 4580 SFH 4585 SIEMENS Wesentliche Merkmale

IR Emitters

Contextual Info: SIEMENS Si-Foto-Detektoren, IR-Lumineszenzdioden, Lichtschranken Si-Photodetectors, IR Emitters, Light Barriers Data Book 03.96

Contextual Info: SIEMENS Lumineszenzdioden Light Emitting Diodes Data Book 01.97 These technical data are also available on CD-ROM and at our www address: http://www.siemens.de/semiconductor

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Gute Linearität /e = /[/p ] bei hohen Strömen • Sehr hoher Wirkungsgrad

GE006367

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 . LD 269 Chip 2.54 mm spacing GE006367 Cathode LD 263 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH415 SFH 416 Cathode Approx. weight 0.2 g Area not flat Collector Transistor < o Approx. weight 0.4 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH415 SFH 416 Area not flat o Cathode Diode Collector (Transistor) CO (O (O o X 0) GEX06630 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale

Contextual Info: SIEMENS LD 260 LD 262 . LD 269 feoQ6367 fez06365 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless W esentliche M erkm ale Features • • • • G aAs-IR-Lum ineszenzdiode, hergestellt im

Q62702-P1806

Abstract: 4580 4580 chip Phototransistor SFH
Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 4580 SFH 4585 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.3 .2.05 ' 1.95 3.7 3.3 14.7 .13.1 Cathode E 05 II I GE006960 - A—• SFH 4580 evi "> 4.5 3.9 ' 7.7 Chip position 4.5

Contextual Info: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden in SMT-Gehäuse High-Speed GaAIAs Infrared Emitters in SMT Package SFH 423 SFH 427 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Sehr schnelle GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität le=/: f/F] bei hohen Strömen

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm GaAs Infrared Emitters (950 nm) SFH 4510 SFH 4515 Chip position 4.5 3.9 8.0 7.4 * P i . R 2 '05 r 1.95 15 .5 14.7 GE006969 SFH 4515 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat 9-0 Cathode Chip position Approx. weight 0.5 Area not fla t Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area o O) o CO o GE006314 2.7 Chip position 00.45 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401

C1740

Abstract: C1454 Q62703-Q1355 Q62703-Q1359 o627 LG3380-EH G1453
Contextual Info: SIEMENS AKT IENGESELLSCHAF >47E D fiE35t.GS DQ5b735 ^ « S I E G M Lumineszenzdioden Light Emitting Diodes Emissionsfarbe Type ^-peak Emission color Gehàusefarbe I» 2q>* Bestellnummer Case color IF= 10 rr A (50% U Ordering code mcd deg. nm Niedrigstrom-LEDs im Gehäuse SOT 23

Q1322

Abstract: Q1330 Q1324 3330-L Q1323 Q1318 LR3360
Contextual Info: -F4I-ZI SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF 47E D I ÖE35baS □□2t.72c] 1 Lumineszenzdioden ¡SIEG Light Emitting Diodes LEDs 3 mm 1 LEDs 3 mm dia Type Emissionsfarbe ^p e a k Emission color Gehausefarbe Case color nm LR 3360-DG L R 3360-F LR3360-G LR 3360—FJ 660

ecg semiconductors master replacement guide

Abstract: ecg master replacement guide mkl b32110 siemens mkp B32650 c945 p 331 ks transistor IC,MASTER master replacement guide Kennlinie KTY 10-6 siemens b32110 A2005 transistor
Contextual Info: Liebe Schuricht-Kunden, Ihre Zufriedenheit ist unser größtes Anliegen. Aus diesem Grunde versuchen wir, Ihnen Informationen und Ware stets zum richtigen Zeitpunkt verfügbar zu machen. Das gilt insbesondere auch für die Produkte der Siemens AG mit den drei

d 4515

Abstract: h 4515 4510 op 4510
Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm G a A s Infrared Emitters (950 nm) Chip position 4.5 7.5 3.9 2.7 5.5 ,2.05 2.3 '1.95 SFH 4510 SFH 4515 (3.2) c\i c\i "(R2.8) oo m 3.7 3.3 . (3-2) 5.8 5.4 14.7 13.1 GE006968 SFH 4510 4.5 3.9 7.7 7.1 Cathode Chip position

TCA 785

Abstract: 7400 lm 7400 tca 785 application siemens hall application notes
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485AP

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) A p p ro x. A p p ro x. w e ig h t 0 .5 w e ig h t 0 .5 SFH 484 SFH 485 g g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkm ale

wavelength of sfh484

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat ,-c # #*• 1 ^ C\J (O o GEX06271 Area not flat Cathode 5.9 5.5 W 0.6 *04 in o CO (O o X 0) GEX06305 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

TCA 785

Abstract: TCA 785 IC 7400 siemens tca-785 halbleiter schaltungen B143-H6824-G1-X-7600 TcA 785 A IC Semiconductor PRICE BOOK
Contextual Info: H inw eise für Ihre LiteraturBestellung How to order Literature Folgende Hinweise gelten nur für Bestel­ lungen innerhalb Deutschlands. The following only applies to orders pla­ Richten Sie bitte Ihre Bestellung an Send your order to Siemens AG ID - LZF - Semiconductor Book Shop

sfh 517

Abstract: diodes 415
Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 7.5 EL •r. E N, * u/ 4.8 Area not f l a t ' Chip p o s itio n ' A p pro x. w e ight 0.2 g Area not fla t 1.2 29 .5 _ 27.5 Chip position Cathode D iode C o llector (T ra n s is to r)

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480 SFH 481 SFH 482 rC a th o d e (SFH 4 8 0 ) R adiant i1 Anode (SFH 216, SFH 231, Sensitive area Chip p osition (2 .7 ) I SFH 4 0 0 ) \y o . / ~i t4 y / 0 0 .4 5 I -1 (T 7

TRANSISTOR si 6822

Abstract: LM 3140 si 6822 transistor transistor 6822 si transistors Si 6822 lm3140 SN-72500 transistors br 6822 Siemens technische transistor 6823
Contextual Info: Technische Erläuterungen SIEMENS Allgem eines O ptoelektronische Bauelem ente haben in der m odernen Elektronik und dam it in fast allen Bereichen unseres Lebens weiten Eingang gefunden. Sie sind in hohem Maße an dem Um stellungsprozeß von Mechanik auf Elektronik beteiligt und haben, aufgrund ihrer Funktion als