RN49P1FS Search Results

RN1102FS

Abstract: RN2111FS RN49P1FS
Contextual Info: RN49P1FS 東芝トランジスタ シリコンNPN • PNPエピタキシャル形 PCT方式 (バイアス抵抗内蔵) RN49P1FS ○ スイッチング用 ○ インバータ回路用 ○ インタフェース回路用 ○ ドライバ回路用 単位: mm

RN1102FS

Abstract: RN2111FS RN49P1FS
Contextual Info: RN49P1FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN•PNP Epitaxial Type PCT Process (Transistor with Built-in Bias Resistor) Preliminary RN49P1FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm 1.0±0.05 Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

RN1102FS

Abstract: RN2111FS RN49P1FS 25Q2
Contextual Info: RN49P1FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN•PNP Epitaxial Type PCT Process (Transistor with Built-in Bias Resistor) Preliminary RN49P1FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm 1.0±0.05 Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the parts count.

Contextual Info: RN49P1FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN•PNP Epitaxial Type PCT Process (Transistor with Built-in Bias Resistor) Preliminary RN49P1FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm 1.0±0.05 Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

Contextual Info: RN49P1FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN•PNP Epitaxial Type PCT Process (Transistor with Built-in Bias Resistor) Preliminary RN49P1FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm 1.0±0.05 Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

IGBT GT30F124

Abstract: IGBT GT30J124 GT30F124 GT30J124 GT50N322 tk25e06k3 TPCP8R01 TK12A10K3 GT30G124 2SK3075
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2011 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ

toshiba YK smd marking

Abstract: bdj0097a 2904 SMD IC 2SC3327 VA MARKING rn4983 smd marking Yd XA marking k 2968 toshiba RN1106FV
Contextual Info: 抵抗内蔵型トランジスタ BRT SMD ● 当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動した り故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製

GT30F124

Abstract: TPCP8R01 GT30J124 JAPANESE 2SC TRANSISTOR 2010 smd transistor h2a smd marking 8L01 tk25e06k3 GT45F122 gt30g124 GT30F123
Contextual Info: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs

transistor bc 245

Abstract: 247Y smd transistor h2a gt30g122 gt35j321 GT45F123 MARKING SMD PNP TRANSISTOR h2a GT45F122 GT45f122 Series gt30f122
Contextual Info: Transistors Bipolar Small-Signal Transistors z 190 Small-Signal FETs z 205 Combination Products of Different Type Devices z 215 Bipolar Power Transistors z 217 Power MOSFETs z 232 Power Transistor Modules z 242 Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors z 243

GT45F122

Abstract: TK13A60U GT30F123 2SK4207 GT30J124 IGBT GT30F123 gt30f122 GT30G122 2SC5471 IGBT GT30J124
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2009 年 7 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ

GT30J124

Abstract: smd transistor h2a gt45f122 TPCP8R01 GT30F123 2sc1815 smd type smd marking 8L01 h2a smd 2SC5471 2sc5200 amplifiers circuit diagram
Contextual Info: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs

*45F122

Abstract: GT30f124 *30g122 *30f124 IGBT GT30F124 GT30J124 GT45F122 GT30F123 TPCA*8023 GT50N322
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2010 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ