Q62703Q5195 Search Results

Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •

Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •

Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •

BPX osram

Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •

Q62703-Q4752

Abstract: diode 482 diode SR 315 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1665 Q62703-Q1668 SFH480 Q62703Q1087
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

Q62703Q1820

Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Contextual Info: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487

BPX osram

Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186 opto 7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •

Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

opto 7800

Abstract: E7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •