PX409 Search Results

Contextual Info: DATENBLATT PXM409-WDDIF Druckaufnehmer aus mikrogeplantem Silizium Ausgangssignal mV/V, 0 bis 5 V DC, 0 bis 10 V DC oder 4 bis 20 mA Unidirektionale Messbereiche von 0-25 mbar bis 0-70 bar PXM409-WDDIF/02.2014 U Werkskalibrierzertifikat mit 5 Punkten U Mikrogeplanter Siliziumsensor

PW406

Abstract: T2025 PX409 datasheets PW409 PX409 Burst CellularRAM Memory MT45W2MW16BAFB-701 WT
Contextual Info: ADVANCE‡ 2 MEG x 16 ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY BURST CellularRAMTM MT45W2MW16BAFB Features Figure 1: Ball Assignment 54-Ball FBGA • • • • • • • • Single device supports asynchronous, page, and burst operations VCC, VCCQ Voltages

PXM409-17

Abstract: PXM409-001BGUSBH
Contextual Info: DATENBLATT PXM409-USBH Relativ- und Absolutdrücke von 25 mbar bis 345 bar Vakuum- und Bidirektionalbereiche von 25 mbar bis 1 bar Barometrische und Differenzdruckbereiche Differenzdruckmodelle mit Unidirektionalbereichen von 0 bis 25 mbar bis 0 bis 70 bar

PXM409-17

Abstract: PXM409-WWDIF PXM-45
Contextual Info: DATENBLATT PXM409-WWDIF Druckaufnehmer aus mikrogeplantem Silizium Ausgangssignal mV/V, 0 bis 5 V DC, 0 bis 10 V DC oder 4 bis 20 mA Unidirektionale Messbereiche von 0-25 mbar bis 0-70 bar U Werkskalibrierzertifikat mit 5 Punkten U Mikrogeplanter Siliziumsensor

PX409

Abstract: PW406 MT45W2MW16BAFB-701 WT
Contextual Info: ADVANCE‡ 2 MEG x 16 ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY BURST CellularRAMTM MT45W2MW16BAFB Features Figure 1: Ball Assignment 54-Ball FBGA • • • • • • • • Single device supports asynchronous, page, and burst operations VCC, VCCQ Voltages

PXM409-3

Contextual Info: DATENBLATT PXM409, PXM419, PXM459 PXM409, PXM419, PXM459 U Relativ-, Absolut-, Vakuum-, bidirektionale sowie barometrische Druckbereiche U Bereiche: ±25 mbar bis 0-350 bar U Standardgenauigkeit: 0,08% U Ausgänge: 10 mV/V, 0 bis 10 V DC oder 4-20 mA U Werkskalibrierzertifikat mit