P5003QV Search Results

p5003qv

Contextual Info: Complementary MOSFET ELM34600AA-N •General Description ■Features ELM34600AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 40.0mΩ(Vgs=4.5V)

P5003QVG

Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34600AA-N •概要 ■特長 ELM34600AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A

P70N02LDG

Abstract: p0603bdg P60N03LDG PA102FDG P2503NPG P45N02LDG P0603BD P1703BDG P0403BDG P3004ND5G
Contextual Info: PRODUCT SELECTION GUIDE NIKO-SEM Surface-Mount And Through-Hole Power MOSFET Part Number BVDSS V VGS@ 2.5V RDS(ON) Max (mΩ) VGS@ VGS@ 4.5V 10V Ciss(Typ.) (pF) Qg(Typ.) RθJC VGS(th) (nc) ℃/W Max (V) ID (A) PD (W) TO-263 /220 N-Channel P45N02LSG P45N03LTG

Contextual Info: Complementary MOSFET ELM34600AA-N •General Description ■Features ELM34600AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 40.0mΩ(Vgs=4.5V)

复合

Abstract: ELM34600AA
Contextual Info: 复合沟道 MOSFET ELM34600AA-N •概要 ■特点 ELM34600AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=30V P 沟道 ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5A ·Rds on < 27.5mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V)