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Contextual Info: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2
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Original
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fex06250gex06250ohr00865ohr01887 |
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GEX06250
Abstract: OHLY0598
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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gex06250ohly0598 |
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409 marking
Abstract: osram sfh 309
Contextual Info: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487
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Original
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d-93055409 markingosram sfh 309 |
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GEXY6250
Abstract: Q62702-P1002 Q62702-P860
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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gexy6250q62702-p1002q62702-p860 |
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SFH 409 SFH 487
Abstract: OPTOKOPPLER p1002 sensor Q62702-P1002 Q62702-P860 GEX06250 SFH409
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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ohr01887gex06250sfh 409 sfh 487optokoppler+4p1002 sensorq62702-p1002q62702-p860sfh409
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GEX06250
Abstract: OHLY0598 SFH 409 SFH 487
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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gex06250ohly0598sfh 409 sfh 487 |
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GEX06250
Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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ohr01887gex06250q62702-p1001q62702-p1002+1q62702-p860
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GEX06250
Abstract: OHLY0598 409 marking
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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gex06250ohly0598409 marking |
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Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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gexy6250 |
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osram sfh 309
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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osram sfh 309 |
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Q62702-P1001
Abstract: GEX06250 Q62702-P1002 Q62702-P860
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode SFH 409 Anode (SFH 487) (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.3 g
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Original
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gex06250fex06250ohr00865ohr01887+3q62702-p1001q62702-p1002q62702-p860
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