IC rl46
Abstract: SCH1301 RL46
Contextual Info: SCH1301 Ordering number : ENN8099A P-Channel Silicon MOSFET SCH1301 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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sch1301enn8099a900mm2ic rl46+1rl46
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SCH1412
Abstract: SCH2812 SS05015SH
Contextual Info: SCH2812 Ordering number : ENN8105 SCH2812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET SCH1412 and a Schottky barrier diode (SS05015SH)
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Original
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sch2812enn8105sch1412ss05015sh |
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RL46
Abstract: SCH1301
Contextual Info: SCH1301 注文コード No. N 8 0 9 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8099 とさしかえてください。 SCH1301 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長
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Original
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sch1301n8099900mm2it04329+3it08146it08147rl46
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SCH1301
Abstract: IC rl46
Contextual Info: SCH1301 Ordering number : ENN8099 P-Channel Silicon MOSFET SCH1301 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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sch1301enn8099900mm2ic rl46 |
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SCH1412
Abstract: SCH2812 SS05015SH
Contextual Info: SCH2812 注文コード No. N 8 1 0 5 三洋半導体データシート N SCH2812 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1412）
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Original
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sch2812sch1412ss05015sh900mm2+4n3004petb-00000512it06804it06805
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