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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Contextual Info: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

Contextual Info: AN5710 x b tiffiic AN5710 R F AGCI3 B B / W TV Video IF Amplifier, RF AGC Circuit • m s AN5710 I t , AN5700 x U - X fiS E E IS f^ 6 V , ' M f i l f u ') <n 1 S 'M X - , RF AGC 0 ifc t-ffl IC 7 T ; ■ # « • i&m&mftn ic ftB*« • YA > £ if 'i f ? y 3