ITR03491 Search Results

2SC3600

Abstract: 2SA1406 VCEO200V ITR03479 ITR03480 SA1406
Contextual Info: Ordering number:ENN1765B PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1406/2SC3600 Ultrahigh-Definition CRT Display Video Output Applications Applications Package Dimensions • Ultrahigh-definition CRT display. · Video output. · Color TV chroma output.

Contextual Info: 4MP10CH Ordering number : ENN8400 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 4MP10CH High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • • High fT : fT=400MHz typ . High breakdown voltage : VCEO≥200V. Small reverse transfer capacitance and excellent high-frequnecy characteristic : Cre=1.7pF.

4MP10CH

Abstract: D2005 ITR03479 ITR03481 ITR03483 ITR03485 ITR03487
Contextual Info: 4MP10CH 注文コード No. N 8 4 0 0 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8400 とさしかえてください。 4MP10CH PNP エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波一般増幅用 特長 ・高 fT である：fT typ=400MHz。

Contextual Info: 4MP10CH Ordering number : EN8400A PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 4MP10CH High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • • High fT : fT=400MHz typ . High breakdown voltage : VCEO≥200V. Small reverse transfer capacitance and excellent high-frequnecy characteristic : Cre=1.7pF.

4MP10CH

Abstract: D2005 ITR03479
Contextual Info: 4MP10CH Ordering number : EN8400A PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 4MP10CH High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • • High fT : fT=400MHz typ . High breakdown voltage : VCEO≥200V. Small reverse transfer capacitance and excellent high-frequnecy characteristic : Cre=1.7pF.

2SC3600

Abstract: 2SA1406 ITR03479 ITR03480 ITR03481 N264YY D226Y
Contextual Info: 注文コード No. N 1 7 6 5 A 2SA1406/2SC3600 No. N1765A 72500 半導体ニューズ No.1765 とさしかえてください。 2SA1406 / 2SC3600 用途 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ 超高精細度 CRT ディスプレイ , ビデオ出力用

ITR03479

Contextual Info: 4MP10MH Ordering number : EN8652 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors 4MP10MH High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • • • High fT : fT=400MHz typ . High breakdown voltage : VCEO≥200V.

2SC4080

Abstract: 2SA1575 ITR03479 ITR03480 83006A
Contextual Info: 2SA1575 / 2SC4080 Ordering number : EN3171A SANYO Semiconductors DATA SHEET 2SA1575 / 2SC4080 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors High-Frequency Amplifier, Wide-Band Amplifier Applications Features • • • • High fT. High breakdown voltage.

4MP10CH

Abstract: ITR03479 ITR03481 ITR03483 ITR03485 ITR03487 ITR03489 ITR03491 ITR11804 TB-00001574
Contextual Info: 4MP10CH 注文コード No. N 8 4 0 0 4MP10CH PNP エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波一般増幅用 特長 ・高 fT である：fT typ=400MHz。 ・高耐圧である：VCEO ≧ 200V。 ・帰還容量が小さく高周波特性がすぐれている：Cre=1.7pF。

83006A

Abstract: 2SA1575 2SC4080 D1099 ITR03479 ITR03480 ITR03481 ITR03482 ITR03483
Contextual Info: 2SA1575 / 2SC4080 注文コード No. N 3 1 7 1 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N3171 をさしかえてください。 2SA1575 / 2SC4080 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波増幅広帯域アンプ用

ITR03479

Abstract: ITR03481 ITR03483 ITR03485 ITR03487 ITR03489 ITR03491
Contextual Info: 4MP10MH 注文コード No. N 8 6 5 2 三洋半導体データシート N 4MP10MH PNP エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波一般増幅用 特長 ・高 fT である：fT typ=400MHz。 ・高耐圧である：VCEO ≧ 200V。