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A1284 Abstract: A12842 Contextual Info: MCH6657 Ordering number : ENA1284 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH6657 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low-ON-reisistance. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	MCH6657 ENA1284 A1284-4/4 A1284 A12842	PDF
A1284 Contextual Info: MCH6657 注文コード No. N A 1 2 8 4 三洋半導体データシート N MCH6657 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・ 4V 駆動。・ MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	MCH6657 900mm 400mA 400mA IT13925 900mm2 IT13926 IT13927 A1284	PDF

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A1284

Abstract: A12842
Contextual Info: MCH6657 Ordering number : ENA1284 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH6657 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low-ON-reisistance. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

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MCH6657 ENA1284 A1284-4/4 A1284 A12842

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Contextual Info: MCH6657 注文コード No. N A 1 2 8 4 三洋半導体データシート N MCH6657 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・ 4V 駆動。・ MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

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MCH6657 900mm 400mA 400mA IT13925 900mm2 IT13926 IT13927 A1284

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