A1270
Abstract: transistor A1270 RD2004 A1270 transistor datasheet RD2004LN A-1270 a1270* transistor
Contextual Info: RD2004LN Ordering number : ENA1270A SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LN Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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rd2004lnena1270aa1270-3/3a1270+5transistor a1270rd2004a1270 transistor datasheeta-1270a1270* transistor
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RD2004
Contextual Info: RD2004LS-SB5 Ordering number : ENA1612 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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Original
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rd2004ls-sb5ena1612a1612-3/3rd2004 |
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A1270
Abstract: RD2004 A-1270 RD2004LN NA12 A1270-1 IT13033 N1809
Contextual Info: RD2004LN 注文コード No. NA12 70A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA1270 をさしかえてください。 RD2004LN シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=400V 。
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Original
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rd2004lnna127062797gibx-0698+11n1809tc-0000218173008satc-00001521a1270-1/3a1270rd2004a-1270na12a1270-1it13033
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RD2004
Abstract: A1486 RD2004JN RD200
Contextual Info: RD2004JN 注文コード No. N A 1 4 8 6 三洋半導体データシート N RD2004JN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=400V 。 ・高信頼性である。 ・逆回復時間が速い。
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rd2004jn52709satc-00001979a1486-1/3+7it13032it13318it13031it13033rd2004a1486rd200
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rd2004
Abstract: RD2004LS
Contextual Info: RD2004LS Ordering number : ENA0968 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LS Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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Original
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rd2004lsena0968a0968-3/3rd2004 |
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rd2004
Abstract: A1612 rd2004ls RD2004LS-SB5
Contextual Info: RD2004LS-SB5 注文コード No. N A 1 6 1 2 三洋半導体データシート N RD2004LS-SB5 シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=400V 。 ・高信頼性である。 ・1 点止めフルモールドパッケージで取り付け作業性、放熱性が良い。
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rd2004ls-sb5n1809satc-00002182a1612-1/3+7it13032it13318it13031it13033rd2004a1612rd2004ls
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RD2004
Abstract: RD2004LS
Contextual Info: RD2004LS 注文コード No. N A 0 9 6 8 三洋半導体データシート N RD2004LS シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=400V 。 ・高信頼性である。 ・1 点止めフルモールドパッケージで取り付け作業性、放熱性が良い。
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Original
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rd2004ls62797gibx-069822708sa+5tc-00001159a0968-1/3it13032it13318rd2004
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RD2004
Abstract: A1486 RD2004JN
Contextual Info: RD2004JN Ordering number : ENA1486 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004JN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. Fast forward / reverse recovery time.
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rd2004jnena1486a1486-3/3rd2004+1a1486
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transistor A1270
Abstract: A1270 A1270 transistor datasheet RD2004LN RD2004 a1270* transistor
Contextual Info: RD2004LN Ordering number : ENA1270 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LN Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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rd2004lnena1270a1270-3/3transistor a1270+4a1270a1270 transistor datasheetrd2004a1270* transistor
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RD2004
Abstract: RD2004JS-SB ENA1895 TC-00002483 A1895
Contextual Info: RD2004JS-SB Ordering number : ENA1895 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004JS-SB Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • VF=1.5V max. IF=20A VRRM=400V trr=20ns (typ.) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
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Original
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ena1895rd2004js-sbpw100sa1895-3/3+3rd2004tc-00002483a1895
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