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G marking sbd Abstract: MOSFET FOR 50HZ SWITCHING APPLICATIONS VEC2822 Contextual Info: VEC2822 Ordering number : ENA0961 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package	Original	vec2822 ena0961 a0961-6/6 g marking sbd +1mosfet for 50hz switching applications	PDF
IT1301 Abstract: VEC2822 IT13019 Contextual Info: VEC2822 注文コード No. N A 0 9 6 1 三洋半導体データシート N VEC2822 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	vec2822 1200mm2 o0307pe tc-00000899 +5a0961-1/6 it10433 500mm2 it1301 it13019	PDF

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G marking sbd

Abstract: MOSFET FOR 50HZ SWITCHING APPLICATIONS VEC2822
Contextual Info: VEC2822 Ordering number : ENA0961 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

Original

vec2822 ena0961 a0961-6/6 g marking sbd +1

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IT1301

Abstract: VEC2822 IT13019
Contextual Info: VEC2822 注文コード No. N A 0 9 6 1 三洋半導体データシート N VEC2822 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。

Original

vec2822 1200mm2 o0307pe tc-00000899 +5

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