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4MN10CH Abstract: MARKING GL Contextual Info: 4MN10CH Ordering number : ENA0268 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 4MN10CH High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • • High fT : fT=400MHz typ . High breakdown voltage : VCEO≥200V. Small reverse transfer capacitance and excellent high-frequnecy characteristic : Cre=1.4pF.	Original	4mn10ch ena0268 400mhz vceo200v +2a0268-3/3 marking gl	PDF
4MN10CH Abstract: IT10192 Contextual Info: 4MN10CH 注文コード No. N A 0 2 6 8 三洋半導体データシート N 4MN10CH NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ高周波一般増幅用特長・高 fT である：fT typ=400MHz。・高耐圧である：VCEO ≧ 200V。	Original	4mn10ch 400mhz 600mm2 it10195 +5it10196 it10197 itr11804 a0268-3/3 it10192	PDF

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4MN10CH

Abstract: MARKING GL
Contextual Info: 4MN10CH Ordering number : ENA0268 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 4MN10CH High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • • High fT : fT=400MHz typ . High breakdown voltage : VCEO≥200V. Small reverse transfer capacitance and excellent high-frequnecy characteristic : Cre=1.4pF.

Original

4mn10ch ena0268 400mhz vceo200v +2

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4MN10CH

Abstract: IT10192
Contextual Info: 4MN10CH 注文コード No. N A 0 2 6 8 三洋半導体データシート N 4MN10CH NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ高周波一般増幅用特長・高 fT である：fT typ=400MHz。・高耐圧である：VCEO ≧ 200V。

Original

4mn10ch 400mhz 600mm2 it10195 +5

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