IT04496 Search Results
IT04496 Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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2SJ646Contextual Info: 2SJ646 注文コード No. N 8 2 8 2 三洋半導体データシート N 2SJ646 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 |
Original |
2sj646--10vit09667it09670+2 | |
IT06907
Abstract: 2SJ646
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Original |
2sj646--10vit09667it09670+3 | |
MCH6306P
Abstract: MCH6306
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Original |
mch6306900mm2it06907it04496+4 | |
CPH6314Contextual Info: CPH6314 注文コード No. N 8 2 3 6 三洋半導体データシート N CPH6314 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・4V 駆動。 |
Original |
cph63141200mm2it04500--10v+2 | |
MCH6306
Abstract: ENN7
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Original |
mch6306enn7716900mm2enn7 | |
2SJ646Contextual Info: 2SJ646 Ordering number : ENN8282 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ646 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol |
Original |
2sj646enn8282 | |
CPH6314Contextual Info: CPH6314 Ordering number : ENN8236 CPH6314 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions |
Original |
cph6314enn82361200mm2 |