IT01366 Search Results

transistor zo 607

Abstract: ZO 607 MA zo 607 equivalent ZO 607 3308 TOP MARK IC 890 f 562 ic pdf datasheet ic 565 application zo 103 ma zo 103 ma 75 607 ZO 109
Contextual Info: EC3H02BA Ordering number : ENA1064A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H02BA VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • • • • • Low noise : NF=1.0dB typ f=1GHz . High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz).

A1064

Abstract: EC3H02BA ECSP1006-3 A1064-1 7039a
Contextual Info: EC3H02BA 注文コード No. N A 1 0 6 4 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No. N1064A をさしかえてください。 EC3H02BA NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ VHF ~ UHF 広帯域低雑音増幅用

transistor zo 607

Abstract: zo 607 MA zo 607 EC3H02C
Contextual Info: Ordering number : ENN6579 EC3H02C SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H02C VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • • • • Low noise : NF=1.0dB typ f=1GHz . High gain :S21e2=12dB typ (f=1GHz).

Contextual Info: EC3H02BA Ordering number : ENA1064B SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H02BA VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • • • • • Low noise : NF=1.0dB typ f=1GHz . High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz).

EC3H02B

Contextual Info: 注文コード No. N 6 5 2 3 EC3H02B No. N6523 41000 新 EC3H02B 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ VHF ~ UHF 広帯域低雑音増幅用 ・低雑音である：NF=1.0dB typ（f=1GHz） 。 ・高利得である：⏐S21e⏐2=12dB typ（f=1GHz）

7039a

Abstract: transistor zo 607 A1064 zo 607 MA zo 607 EC3H02BA ECSP1006-3
Contextual Info: EC3H02BA Ordering number : ENA1064B SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H02BA VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • • • • • Low noise : NF=1.0dB typ f=1GHz . High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz).

2SC5488

Abstract: 62883
Contextual Info: Ordering number:ENN6288 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5488 VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications Features Package Dimensions • Low noise : NF=1.0dB typ f=1GHz . · High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz). · High cutoff frequency : fT=7GHz typ.

A1089

Contextual Info: Ordering number : ENA1089A 2SC5488A RF Transistor http://onsemi.com 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single SSFP Features • • • • • Low-noise : NF=1.0dB typ f=1GHz High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=7GHz typ Ultrasmall, slim flat-lead package (1.4mmx0.8mm×0.6mm)

Contextual Info: 2SC5488A Ordering number : ENA1089A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5488A VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • • • • • Low-noise : NF=1.0dB typ f=1GHz High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz)

A1089

Contextual Info: 2SC5488A Ordering number : ENA1089 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5488A VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • • • • • Low-noise : NF=1.0dB typ f=1GHz . High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz).

EC3H02B

Contextual Info: Ordering number:ENN6523 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H02B VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications Package Dimensions unit:mm 2183 [EC3H02B] 0.35 0.2 0.15 0.15 0.05 1 0.25 3 0.5 1.0 0.05 2 0.4 0.65 0.25 • Low noise : NF=1.0dB typ f=1GHz .

2SC548

Abstract: IT01366 2SC5488A A1089
Contextual Info: 2SC5488A 注文コード No. N A 1 0 8 9 三洋半導体データシート N 2SC5488A NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ VHF ~ UHF 広帯域低雑音増幅用 特長 ・低雑音である：NF=1.0dB typ f=1GHz 。 ・高利得である ：⏐S21e⏐2=12dB typ（f=1GHz）

EC3H02C

Contextual Info: 注文コード No. N 6 5 7 9 EC3H02C 三洋半導体データシート N EC3H02C 特長 NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ VHF ~ UHF 広帯域低雑音増幅用 ・低雑音である：NF=1.0dB typ（f=1GHz） 。 。

62882

Abstract: n628 2SC5488
Contextual Info: 注文コード No. N 6 2 8 8 2SC5488 No. N6288 62299 新 2SC5488 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ VHF ~ UHF 広帯域低雑音増幅用 ・低雑音である：NF=1.0dB typ f=1GHz 。 ・高利得である：⏐S21e⏐2=12dB typ(f=1GHz)。

SSFP package

Abstract: 2SC5488A
Contextual Info: 2SC5488A Ordering number : ENA1089 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5488A VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • • • • • Low-noise : NF=1.0dB typ f=1GHz . High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz).

EC3H02B

Contextual Info: Ordering number:ENN6523 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H02B VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications Package Dimensions unit:mm 2183 [EC3H02B] 0.35 0.2 0.15 0.15 0.05 1 0.25 3 0.5 1.0 0.05 2 0.4 0.65 0.25 • Low noise : NF=1.0dB typ f=1GHz .

2SC5488

Abstract: TA-1675 62882 62883
Contextual Info: Ordering number:ENN6288 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5488 VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications Features Package Dimensions • Low noise : NF=1.0dB typ f=1GHz . · High gain : S21e2=12dB typ (f=1GHz). · High cutoff frequency : fT=7GHz typ.

transistor zo 607

Abstract: zo 607 MA zo 607 equivalent ZO 607 EC3H02C
Contextual Info: Ordering number : ENN6579 EC3H02C NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H02C VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications [EC3H02C] 0.5 0.2 0.05 0.2 3 4 2 1 0.05 1 : Base 2 : Emitter 3 : Collector 4 : Collector 0.6 Bottom View 1.0 0.05 •