IR 4842 Search Results

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111

Q62703-Q1093

Abstract: Q62703-Q1092 Q62703-Q1547 Q62703-Q1755 Q62703-Q1756 of max 485 SFH 340
Contextual Info: SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 fex06305 fex06271 GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

osram ir ld 274

Abstract: IR photodetectors design opto interrupter SFH 250 sfh diode sfh203
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

Contextual Info: 2010-11-29 GaAlAs Infrared Emitters 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484 Features: • • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability UL version available Spectral match with silicon photodetectors

Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

Contextual Info: 2010-11-29 GaAlAs Infrared Emitters 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484 Features: • • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability UL version available Spectral match with silicon photodetectors

Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)

Q62703-Q1756

Abstract: Q62703-Q1092 Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 4842 sfh484
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)

Q62703-Q1092

Abstract: Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 Q62703-Q1756 4842 sfh203
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)

Q62703-Q1092

Abstract: Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 Q62703-Q1756
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

osram ir ld 274

Abstract: E9548 Q65110A1434
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

E9548

Abstract: Q65110A1434
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

Q62703-Q1756

Abstract: marking 55 485 DSA0051095 SFH 340 GEX06271 GEX06305 Q62703-Q1092 Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 Q62703-Q1755
Contextual Info: GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat Cathode 5.9 5.5 0.6 0.4 5.7 5.1 fex06271 1.8 1.2 29 27 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.5 0.6 0.4 Chip position GEX06271 Approx. weight 0.5 g

Q62703-Q1756

Abstract: GEX06271 GEX06305 Q62703-Q1092 Q62703-Q1093 Q62703-Q1547 Q62703-Q1755 4842
Contextual Info: GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat Cathode 5.9 5.5 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 fex06271 1.8 1.2 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.5 0.6 0.4 Chip position GEX06271 Area not flat Cathode

SFH415T

Abstract: SFH415U Q62703-Q1546 SFH415-T sfh 487-2 Q62703-Q1762
Contextual Info: IR-Lumineszenzdioden Gehäuse/Package Infrared Emitters h Type deg. Bestellnummer Ordering code mW/sr 1.3 im SMT-Gehäuse /-peak = 950 nm VF = 1,3 V ( / F = 100 mA) ♦ 8 1.3 in SMT-package (>ipeak = 950 nm) VF = 1.3 V ( / F = 100 mA) SFH420 SFH420-N ±60

SFH 485-2

Contextual Info: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 A rea not flat • ■ Cathode GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 9.0 Cathode 8.2 CO I LO oo E 05 7.8 7.5 Js«_ 'S LO Q C\J LO t T Q Q CO 1.5 4.8 4.2 29

wavelength of sfh484

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 Area not flat ,-c # #*• 1 ^ C\J (O o GEX06271 Area not flat Cathode 5.9 5.5 W 0.6 *04 in o CO (O o X 0) GEX06305 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Q62703Q1820

Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Contextual Info: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487

485AP

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) A p p ro x. A p p ro x. w e ig h t 0 .5 w e ig h t 0 .5 SFH 484 SFH 485 g g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkm ale

4842

Abstract: 16ctg
Contextual Info: SENSITRON SEMICONDUCTOR
FEP16AT-G-FEP16JT -G Green Products TECHNICAL DATA DATA SHEET 4842,REV.- FEP16AT-G-FEP16JT-G ULTRAFAST PLASTIC RECTIFIER Mechanical Data • Case: JEDEC TO-220AB molded plastic body over passivated chips • Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026

4842B

Abstract: 4042
Contextual Info: COS/MOS INTEGRATED CIRCUIT R 4 ° 4iL5 h c c /h c f 4842B Q U A D C LO CK ED " D " LATCH • • • • • • • • • • C L O C K ^ O L A R IT Y C O NTRO L Q A N D Q OUTPUTS COMMON CLO CK LOW POWER T T L C O M PATIBLE S T A N D A R D IZ E D S Y M M E T R IC A L O U TPU T C H A R A C T E R IS T IC S

Contextual Info: 1 I l 8 lE0 rS ‘o n REV. e N iM V ü Q ^ # a a A o ( -y v DESIGNATION fcf> M •+>£ ) X I NO. ñ 5 D E S C R IP T IO N 1 5.Apr.1998 41929 ADDED 2.JU 1.2001 48424 R E V IS E D 2O.D0o.2OO2 51162 REDRAW N ±0. 3 (DIMENSION OF SPACING BETWEEN HOOK PIN) DON

T35W

Abstract: transistor kt 606A 65e9 transistor sr 6863 D 2SC965 CS9011 sr1k diode KT850 TRANSISTOR st25a transistor 130001 8d
Contextual Info: NEW PRODUCTS BULLETIN SINGLE-ENDED MOLDED BRIDGES Fig. 1 International Rectifier expands its quality line of highly reliable molded \ bridges with the new 10DB series of 1 amp full-wave silicon bridge rectifiers. The single-ended, in-line configuration is suitable for PC board applications,