IC PT 2222 Search Results

BEL100N

Abstract: bel 100n transistor 41 bf BEL100 BEL100N TRANSISTOR transistor BF 245 BEL 167 transistor BEL 100N BEL BF200 BF200 transistor
Contextual Info: Si Device No VCEO Volts mm V cB O Volts mm V ebo Volts mm hFE at bias mm /max Ic mA V ce Volts 1 CM Plot ICBO mA mW uA max max typ V ce Sat Volts typ M Hz Cob Pt- typ typ ÍT ts N ns typ dB typ toff nsec — f Package NPN SWITCHING TRANSISTORS 20. 2N2218

ic pt 2223

Abstract: ic pt 2222 npn 2222 transistor UN2224 UN2221 UN2222 UN2223 DSA003713 Pt 2222
Contextual Info: Transistors with built-in Resistor UN2221/2222/2223/2224 Silicon NPN epitaxial planer transistor 0.65±0.15 1.45 0.95 1.5 –0.05 1 0.95 3 +0.1 0.4 –0.05 +0.2 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts.

ic pt 2223

Abstract: UNR2223 UNR2221 UNR2222 UNR2224
Contextual Info: Transistors with built-in Resistor UNR2221/2222/2223/2224 UN2221/2222/2223/2224 Silicon NPN epitaxial planer transistor Unit: mm +0.2 2.8 –0.3 +0.25 0.65±0.15 For digital circuits 1.5 –0.05 0.65±0.15 +0.1 +0.2 1.45 3 0.4 –0.05 2.9 –0.05 1 0.95

ic pt 2223

Abstract: ic pt 2222 UN2224 UNR2223 UN2221 UN2222 UN2223 UNR2221 UNR2222 UNR2224
Contextual Info: Transistors with built-in Resistor UNR2221/2222/2223/2224 UN2221/2222/2223/2224 Silicon NPN epitaxial planer transistor Unit : mm 0.40+0.10 –0.05 For digital circuits 0.16+0.10 –0.06 0.4±0.2 2 1 (0.65) • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

Contextual Info: SIEMENS SMBT 2907 SMBT 2907 A PNP Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: SMBT 2222, SMBT 2222 A NPN Type Marking Ordering Code (tape and reel) Pin Configuration

2907A

Abstract: ZT2907A mdpv
Contextual Info: SIEM EN S PNP Silicon Switching Transistors PZT 2907 PZT 2907 A • High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: PZT 2222 N PN PZT 2222 A (NPN) Type Marking Ordering Code (tape and reel) Pin Conf igura ion

2222A

Abstract: O A B C sot-89 WTM2222A WTM2907A 2222A sot89 transistor 2222a transistor 2222a sot 89
Contextual Info: WTM2222A NPN Epitaxial Planar Transistors SOT-89 P b Lead Pb -Free 1 Features: 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER * Low Collector Saturation Voltage * High Spwwd Switching * For Complementary Use With PNP Type WTM2907A 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25˚C)

2222a

Abstract: WTM2222A WTM2907A transistor 2222a
Contextual Info: WTM2222A NPN Epitaxial Planar Transistors SOT-89 P b Lead Pb -Free 1 Features: 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER * Low Collector Saturation Voltage * High Speed Switching * For Complementary Use With PNP Type WTM2907A 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25˚C)

transistor 2222a

Abstract: k019 2222A transistor M2907A 2222a tm2907 2222A transistors ip 2222A
Contextual Info: SEC SILICON TRANSISTORS ELECTRON DEVICE N T M 2 2 2 2 A ,N T M 2 2 2 2 A R GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, HIGH SPEED SW ITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR "M INI MOLD TYPE” DESCRIPTION The N TM 2222A , N TM 2222A R are designed fo r general purpose am p lifie r and high speed sw itching applications, especially

t2222

Abstract: NT2222 NT2222A I/NT2222 NT2907 t2222a ICB01
Contextual Info: NEC NPN SILICON TRANSISTORS NT2222,NT2222A ELECTRON DEVICE GENERAL PU RPO SE A M P L IF IE R A N D H IG H -S P E E D , M E D IU M -P O W E R S W IT C H IN G N P N S IL IC O N E P IT A X IA L T R A N S IS T O R DESCRIPTION The N T2222, N T 2222A are NPN transistors, designed fo r general purpose am plifier and high-speed, mediumpower sw itching applications, feature injection-m olded plastic package fo r high re lia b ility .

G2JS

Abstract: 2SC4550 Immo transistor t 2190 U/25/20/TN26/15/850/G2JS
Contextual Info: ~r — $ • y — h /\°7 - Silicon Power Transistor 2SC4550 N 2 S C 455o iî , i i i i x - f P N I f c - v i - v - r m ÿ X j ' t ' L ow VcE sat Iife i ^ t L v x m T . i l ' J f i ÿ y ì i i i i r t z ' - t v - h \ - 7 7 > ' / X > m ^iO T" D C /D C ^ > /S;'— Ÿ ^?~T y7

PC7812AHF

Abstract: PC7805AHF pc7815ahf IC-7983 PC7800 PC7824AHF PC7893AHF PC7805A PC7818AHF
Contextual Info: データ・シート バイポーラアナログ集積回路 Bipolar Analog Integrated Circuit µPC7800Aシリーズ ３端子正出力電圧安定化電源回路 PC7800Aシリーズは，出力電流容量1Aの正出力電圧３端子レギュレータです。

transistor C017

Abstract: D1560 transistor t 2190 2SD2164
Contextual Info: データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SD2164 NPN エピタキシアル形シリコン・トランジスタ 低周波電力増幅，低速度スイッチング用 2SD2164 は，hFE が特に高くなるように設計されたシングルの

K68A

Abstract: a1f4m A1A4M R1Ik N1A4M 2SK104 2SA1138 a1l4m n1f4m 2SD1557
Contextual Info: QUICK REFERENCE GUIDE MINI MOLD SC-59 Q U IC K R E FE R EN C E TA B L E Switching Diodes □ m Leadless Type Q U IC K REFER EN C E TA B LE (Switching Diodes) □ \ ^ V R (V ) GENERAL P UHPO SE 30 50 70 LS53 LS 54 LS 55 LS 953 LS 954 L S 955 100 S IN G L E

31-968.24

Abstract: 22-331.111d 22-040.001 311D 514D 22-223.011 10-5309.3205 31-968.05 Flat Plate power Resistor elements 222120
Contextual Info: Switches and Indicators 22 22 Switches and Indicators Index Series 22 Description Page 369 Product Assembly Page 370 Product Range - pushbuttons for standard mounting - accessories / spare parts 368 01.2000 Page 371 Page 375 Technical Data Page 380 Technical Drawing / Dimension

2SC4226

Abstract: pt 2399 PA810T
Contextual Info: データ・シート（暫定） シリコントランジスタ Silicon Transistor µPA810T NPNエピタキシアル形シリコントランジスタ（２素子内蔵） 高周波低雑音増幅用 2SC4226 ２個入り小形ミニモールド PA810Tは，VHF帯からUHF帯での低雑音増幅用として

transistor 5bw

Abstract: TRANSISTOR 5DW 5dw transistor 3bw transistor 2SC1009 transistor 3bw 1bw npn NPN2SC2351 nec m nec microwave
Contextual Info: 9. Summarized Characteristics Table 4. Bipolar Transistor« Bipolar Transistors, Field Effect Transistors and Diodes Absolute M aximum Ratings Te*25uC Type No. Structure PNP Epitaxial Package N E C M INI M O L O Regular' Electrical Characteristics Ta«25°C>

2n5088 transistor

Abstract: SL 100 NPN Transistor 2N3903 2N3904 2N3905 2N3906 2N4123 2N4124 2N4125 2N4126
Contextual Info: SILICON SIGNAL TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS TO-92 PA CK A GE D evice b v CEO T y p e @ 1 0 m A - V M in . V CE (sat) E M a x. 2N 3903 2N 3904 2N 3905 2N 3906 2N 4123 NPN NPN PNP PNP NPN 40 40 40 40 30 50 100 50 100 50 15 0 300 150 300 15 0

d1499

Abstract: AA 6026
Contextual Info: データ・シート 複合トランジスタ Compound Transistor FN1F4N 抵抗内蔵PNPエピタキシアル形シリコントランジスタ 中速度スイッチング用 特 徴 外形図（単位：mm） ○バイアス抵抗を内蔵しています。

Contextual Info: 4 T H IS DRAWING 0 RELEASED FOR P U B L I C A T IO N IS UNPUBLISHED. COPYRIGHT BY AMP INCORPORATED. 19 2 3 ,1 9 LOC DI ST CF ALL RIGHTS RESERVED. REVISIONS 39 DES C RI PT IO N DATE DWN APVD PER NPR 11-20-96 DKE RC 0G80—0 0 3 7 -0 0 1- 2 8 - 0 0 REH REH

K1983

Abstract: 2SA1129 2SC2654 MP-25 D1485 2sa112
Contextual Info: データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SA1129 PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ 低周波電力増幅および中速度スイッチング用 工業用 ★ 2SA1129 は，中速度スイッチング用として開発されたモール

transistor 6108

Abstract: 2SC4342
Contextual Info: データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SC4342 NPN エピタキシアル形シリコン・トランジスタ ダーリントン接続 高速度スイッチング用 工業用 ★ 2SC4342 は，高速タイプのダーリントン・パワー・トランジ

BLW90

Abstract: fi37
Contextual Info: bSE ]> El 7110ñSb DDb33ñ7 350 « P H I N BLW90 _ PHILIPS INTERNATIONAL _^ U.H.F. P O W E R T R A N SIST O R N-P-N silicon planar epitaxial transistor suitable for transmitting applications in class-A, B or C in the u.h.f. and v.h.f. range for a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and

2SB1432

Abstract: 2SB143
Contextual Info: データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SB1432 PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ ダーリントン接続 低周波電力増幅，低速度スイッチング用 工業用 ★