HG30 Search Results

Contextual Info: DRV411 www.ti.com SBOS693A – AUGUST 2013 – REVISED AUGUST 2013 Sensor Signal Conditioning IC for Closed-Loop Magnetic Current Sensors Check for Samples: DRV411 FEATURES DESCRIPTION • The DRV411 is designed to condition InSb Hall elements for use in closed-loop current-sensor

XAPP031

Contextual Info: £ XILINX XC4000E and XC4000X Series Field Programmable Gate Arrays November 10,1997 Version 1.4 Product Specification XC4000E and XC4000X Series Features Low-Voltage Versions Available Note: XC4000 Series devices described in this data sheet include the XC4000E family and XC4000X Series.

Contextual Info: DRV411 www.ti.com SBOS693 – AUGUST 2013 Sensor Signal Conditioning IC for Closed-Loop Magnetic Current Sensors Check for Samples: DRV411 FEATURES DESCRIPTION • The DRV411 is designed to condition InSb Hall elements for use in closed-loop current-sensor

EATON CM20A

Abstract: A5 GNE mosfet Hall sensor 44e 402 2N8491 FTG 1087 S TRIAC BCR 10km FEB3T smd transistor marking 352a sharp EIA 577 sharp color tv schematic diagram MP-130 M mh-ce 10268
Contextual Info: Table of Contents N E W A R K E L E C T R O N IC S “Where serving you begins even before you call” Newark Electronics is a UNIQUE broadline distributor of electronic components, dedicated to provid­ ing complete service, fast delivery and in-depth inventory. Our main

MW-4 package hall sensor

Abstract: hg302
Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302A HG-302Aは リードを一方向に配したSIP形状GaASホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配置することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302C HG-302Cは リードを一方向に配したSIP形状GaAsホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配置することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

HG-302A

Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302A HG-302Aは リードを一方向に配したSIP形状GaASホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配置することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302C HG-302Cは リードを一方向に配したSIP形状GaAsホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配置することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

6 pin 2D 1002 ring COUNTER

Abstract: EGH15CA MGN12 HGR15 ISO 8015 tolerance HGR-30 970004A1 EGR15 HGR25 qh25c
Contextual Info: Linear Guideway Technical Information www.hiwin.com.tw Linear Guideways Technical Information Index Preface .1

syntron rectifier

Abstract: 2CL2FP SM3F HGUF10 WESTINGHOUSE RECTIFIERS ct 4a05 4a05 Syntron syntron diode 2CL106
Contextual Info: B D O O O N TH O T C R O EM P Y O VE Manufacturers of • ■ ■ ■ ■ CAN’T FIND WHAT YOU NEED? CALL US. CUSTOM DESIGN IS OUR SPECIALTY. HIGH VOLTAGE DIODES MOVS TVSS DEVICES SELENIUM SUPPRESSORS SILICON CARBIDE SUPPRESSORS ■ HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT ASSEMBLIES

Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302A HG-302Aはリードを一方向に配したSIP形状GaASホール素子です。 モールド層が薄いため、ギャップの狭い所に配置することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

HG-302C

Abstract: 302C HG302C HG30 T1 Sensor element
Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302C HG-302Cは リードを一方向に配したSIP形状GaAsホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配置することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

fscj, -bit

Abstract: SDK06-V1 fscj G746 SDK06 YG6260 MARKING 10As sanken SSE jgg laser MA ARABIC
Contextual Info: SnnKpn s a n k e n e l e c t r i c com pany, l t d . S P E C I F I C A T I O N S D E V IC E TYPE j REFERENCE M ESSRS. NAME ¡ I J I l i i o io a l 6 P in M O S T SD K06-V1 S A N K E N S IL IC O N P O W E R M O SF E T ARRAY SDK06-V1 1. Scope H § ^ p aB ( 1 6 P i n ) M O S T l —

HG-302C

Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302C Shipped in bulk（500pcs per pack） Notice : It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE" written on the back of the front cover of this catalogue. ●Absolute Maximum Ratings Limit Unit Max. Input Voltage VC 10 V Max.Input Power

Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302A Shipped in bulk 500pcs per pack Notice : It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE" written on the back of the front cover of this catalogue. ●Absolute Maximum Ratings 150 mW −40 ~ ＋125 ℃ −40 ∼ ＋150 ℃

Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302C HG-302Cは リードを一方向に配したSIP形状GaAsホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配置することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

hg302a

Abstract: HG-302A t 302a
Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302A HG-302Aは リードを一方向に配したSIP形状GaASホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配置することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

3HGD15

Abstract: HG20 3HC5 Rectifier 6 amp 400 volt 3HC10 3HC15 3HCF10 HC10 HC12 HC15
Contextual Info: HG, HC-Rectifier Blocks High Voltage, Mounting Slots HVCA Number Repetitive Peak Reverse Voltage Avg. Forward Current Max. VRRMP e rL S V Volts ' f av m C - M -C A (Amps) Max. Forward Voltage Drop Vp (fr | p Per Leg Max. Reverse Current Ip (& Vpmy| (S' 25^C

3HC10

Abstract: 3HC15 3HCF10 HC10 HC12 HC15 HC20 HCF10 HCF12 HCUF10
Contextual Info: HG, HC-RECTIFIER BLOCKS HIGH VOLTAGE, MOUNTING SLOTS HVCA Number Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Per Leg V Volts Avg. Forward Current Max. IFAVM@55°C A (Amps) Max. Forward Voltage Drop VF@IF Per Leg V(Volts) Max. Reverse Current IR@VRRM@25°C mA (microAmps)

4A05 diode

Abstract: ct 4a05 4a05 equivalent components of diode her208 diode 4a05 SP5LFG SM3FG 2CL2FP HVW3 diode SM3F
Contextual Info: HIGH VOLTAGE LOW CURRENT RECTIFIERS – NV, G SERIES FIGURE 24 NV•FP Series FIGURE 0.080 Lead Diameter 0.020 0.12 Max. FIGURE 2 G•FS Series G•FG Series 1” Min. FIGURE 4 0.120 Lead Diameter 0.024 1” Min. D Lead Diameter 0.023 1” Min. 3 L Max. G•GE & G•PE Series

Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302C HG-302Cは リードを一方向に配したSIP形状GaAsホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配☛することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

Contextual Info: GaAs Hall Element HG-302A HG-302Aは リードを一方向に配したSIP形状GaASホール素子です。 モールド層が薄いため、 ギャップの狭い所に配☛することができます。 標準はバルク供給となります。 （500pcs.／Pack）

Contextual Info: DRV411 www.ti.com SBOS693A – AUGUST 2013 – REVISED AUGUST 2013 Sensor Signal Conditioning IC for Closed-Loop Magnetic Current Sensors Check for Samples: DRV411 FEATURES DESCRIPTION • The DRV411 is designed to condition InSb Hall elements for use in closed-loop current-sensor

HG3002LCD

Abstract: APR-5000 Steinel steinel "air gun" reflow profile metcal heat gun desoldering
Contextual Info: VISHAY SILICONIX Power MOSFETs Application Note 839 Guidelines for Handling Failed Power MOSFETs on PCB Assemblies By Kandarp Pandya INTRODUCTION When a power MOSFET fails, the challenge is to determine the root cause of failure and implement a containment plan.