GT50J Search Results
GT50J Result Highlights (4)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Download | Buy |
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| GT50J341 | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | IGBT, 600 V, 50 A, Built-in Diodes, TO-3P(N) | Datasheet | ||
| GT50J123 | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | IGBT, 600 V, 59 A, TO-3P(N) | Datasheet | ||
| GT50JR21 | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | IGBT, 600 V, 50 A, Built-in Diodes, TO-3P(N) | Datasheet | ||
| GT50JR22 | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | IGBT, 600 V, 50 A, Built-in Diodes, TO-3P(N) | Datasheet |
GT50J Datasheets (45)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| GT50J101 | Toshiba | Discrete IGBTs | Original | 586.27KB | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J101 | Unknown | Catalog Scans - Shortform Datasheet | Scan | 53.63KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J101 | Unknown | Catalog Scans - Shortform Datasheet | Scan | 55.62KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J101 | Unknown | Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Short Form | 88.73KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J101 | Toshiba | TRANSISTOR IGBT 50A 600V | Scan | 224.23KB | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J102 | Toshiba | Discrete IGBTs | Original | 586.27KB | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J102 | Toshiba | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) | Original | 388.38KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J102 | Toshiba | Discrete IGBTs | Original | 539.84KB | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J102 | Toshiba | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT | Scan | 256.03KB | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J121 | Toshiba | Original | 322.84KB | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J121 | Toshiba | High-Speed IGBTs | Original | 117.47KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J121 | Toshiba | Discrete IGBTs | Original | 539.84KB | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J121 | Toshiba | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT | Original | 206.22KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J121(Q) | Toshiba | IGBTs - Single, Discrete Semiconductor Products, IGBT 600V 50A 240W TO3P LH | Original | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J122 | Toshiba | N-channel IGBT | Original | 177.28KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J122 | Toshiba | Discrete IGBTs | Original | 539.84KB | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J301 | Toshiba | TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3(2-21F2C) | Original | 390.88KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J301 | Toshiba | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) | Original | 396.71KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J301 | Toshiba | Discrete IGBTs | Original | 539.84KB | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J301 | Toshiba | Discrete IGBTs | Original | 586.27KB | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT50J Price and Stock
Toshiba America Electronic Components
Toshiba America Electronic Components GT50J341,Q- Trays (Alt: GT50J341,Q) |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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GT50J341,Q | Tray | 100 |
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GT50J341,Q |
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GT50J341,Q | 13,456 |
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Get Quote | |||||||
Toshiba America Electronic Components GT50JR21(STA1,E,S)IGBTs - Trays (Alt: GT50JR21(STA1,E,S)) |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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GT50JR21(STA1,E,S) | Tray | 12 Weeks | 25 |
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GT50JR21(STA1,E,S) | 47 |
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GT50JR21(STA1,E,S) | 83 | 1 |
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GT50JR21(STA1,E,S) | 150 | 21 Weeks | 25 |
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Toshiba America Electronic Components GT50JR22(STA1,E,S)TOSGT50JR22(STA1ES) IGBT FOR SOFT SWIT - Trays (Alt: GT50JR22(STA1,E,S)) |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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GT50JR22(STA1,E,S) | Tray | 12 Weeks | 25 |
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GT50JR22(STA1,E,S) | 69 |
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GT50JR22(STA1,E,S) | Bulk | 350 | 1 |
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GT50JR22(STA1,E,S) | 86 | 1 |
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GT50JR22(STA1,E,S) | 25 | 21 Weeks | 25 |
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Toshiba America Electronic Components GT50J325IGBT, 600V, TO-3P(LH); Continuous Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.45V; Power Dissipation:240W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:- RoHS Compliant: Yes |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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GT50J325 | Bulk | 1 |
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Toshiba America Electronic Components GT50JR21STA1ESSILICON N-CHANNEL DISCRETE IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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GT50JR21STA1ES | 150 |
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