ELM334 Search Results

ELM33401CA

Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM33401CA-S •概要 ■特点 ELM33401CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-20V ·Id=-3A ·Rds on < 85mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 118mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 215mΩ (Vgs=-2.5V)

ELM33400CA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM33400CA-S •概要 ■特点 ELM33400CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=6A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 52mΩ (Vgs=2.5V)

P6402FMG

Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM33403CA-S •概要 ■特長 ELM33403CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4A ・ Rds on < 64mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 79mΩ (Vgs=-2.5V)

Contextual Info: Single P-channel MOSFET ELM33415CA-S •General description ■Features ELM33415CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • • Vds=-20V Id=-3.5A Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-4.5V) Rds(on) < 61mΩ (Vgs=-2.5V)

ELM33416CA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM33416CA-S •概要 ■特点 ELM33416CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=100V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=1.3A ·Rds on < 230mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 240mΩ (Vgs=5V) ■绝对最大额定值

ELM33408CA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM33408CA-S •概要 ■特点 ELM33408CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=3A ·Rds on < 50.8mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 100mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM33400CA-S •General description ■Features ELM33400CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • • Vds=30V Id=6A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM33402CA-S •General description ■Features ELM33402CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=20V Id=3A Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 105mΩ (Vgs=2.5V)

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM33412CA-S •General description ■Features ELM33412CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • • Vds=20V Id=6A Rds(on) < 24mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 32mΩ (Vgs=2.5V)

Contextual Info: Single P-channel MOSFET ELM33407CA-S •General description ■Features ELM33407CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-20V Id=-3A Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V) Rds(on) < 250mΩ (Vgs=-2.5V)

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM33416CA-S •General description ■Features ELM33416CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=100V Id=1.3A Rds(on) < 230mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 240mΩ (Vgs=5V)

Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM33413CA-S •概要 ■特長 ELM33413CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4A ・ Rds on < 64mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-2.5V)

Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM33400CA-S •概要 ■特長 ELM33400CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=6A ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)

solar inverters schematic diagram

Abstract: circuit diagram of remote control door simple door alarm circuit diagram microchip garage door opener circuit diagram of Garage Door Openers remote control door circuit diagram solar inverters circuit diagram solar THERMOSTAT SCHEMATIC circuit diagram of remote control door open garage door monitor
Contextual Info: ELM334 Garage Doorman Description Features The ELM334 is an integrated circuit for remotely monitoring the position of electrical contacts on a garage door, for example and reporting the position by way of coloured LEDs. A two-wire interface is all that is needed to convey the position of the door to

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM33416CA-S •General description ■Features ELM33416CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=100V Id=1.3A Rds(on) < 230mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 240mΩ (Vgs=5V)

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM33408CA-S •General description ■Features ELM33408CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=20V Id=3A Rds(on) < 50.8mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 100mΩ (Vgs=2.5V)

p3202

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM33410CA-S •General description ■Features ELM33410CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • • Vds=20V Id=5A Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 50mΩ (Vgs=2.5V)

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM33400CA-S •General description ■Features ELM33400CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • • Vds=30V Id=6A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)

Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM33416CA-S •概要 ■特長 ELM33416CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=100V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=1.3A ・ Rds on < 230mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 240mΩ (Vgs=5V)

Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM33408CA-S •概要 ■特長 ELM33408CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=3A ・ Rds on < 50.8mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 100mΩ (Vgs=2.5V)

ELM33411CA

Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM33411CA-S •概要 ■特点 ELM33411CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-20V ·Id=-3A ·Rds on < 100mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 140mΩ (Vgs=-2.5V) ·Rds(on) < 240mΩ (Vgs=-1.8V)

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM33404CA-S •概要 ■特点 ELM33404CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=3A ·Rds on < 85mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 115mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目

Contextual Info: Single P-channel MOSFET ELM33405CA-S •General description ■Features ELM33405CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-30V Id=-2A Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 250mΩ (Vgs=-4.5V)

Contextual Info: Single P-channel MOSFET ELM33401CA-S •General description ■Features ELM33401CA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • • Vds=-20V Id=-3A Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 118mΩ (Vgs=-4.5V)