ELM32412LA Search Results
ELM32412LA Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
|---|---|---|---|
P2504BDGContextual Info: Single N-channel MOSFET ELM32412LA-S •General description ■Features ELM32412LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=12A Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM32412LA-S ELM32412LA-S P2504BDG O-252 JAN-17-2005 P2504BDG | |
|
Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM32412LA-S •概要 ■特長 ELM32412LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=12A ・ Rds on < 25mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM32412LA-S P2504BDG O-252 JAN-17-2005 | |
ELM32412LAContextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32412LA-S •概要 ■特点 ELM32412LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=40V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=12A ·Rds on < 25mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 |
Original |
ELM32412LA-S O-252 JAN-17-2005 P2504BDG ELM32412LA | |
|
Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM32412LA-S •General description ■Features ELM32412LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=12A Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM32412LA-S ELM32412LA-S P2504BDG O-252 JAN-17-2005 |