L2998
Abstract: LP2955 LP2998 M08A SSTL-18
Contextual Info: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。
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lp2998sstl-2sstl-18sstl-18ds300269-02-jp+3l2998lp2955m08a
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L2998
Abstract: LP2955 LP2998 M08A SSTL-18 SSTL-2 LP2998 psop
Contextual Info: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。
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lp2998sstl-2sstl-18sstl-18ds300269-02-jp+5l2998lp2955m08asstl-2lp2998 psop
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MOC8204
Abstract: OPTO MOC8204
Contextual Info: GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS DESCRIPTION MOC8204 The MOC8204 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a high voltage, silicon, phototransistor detector in a standard 6-pin DIP package. It is designed for high voltage applications and
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moc8204ds300269opto moc8204 |
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3 pin phototransistor
Abstract: 4 pin phototransistor phototransistor 3 pin OPTO MOC8204 MOC8204
Contextual Info: GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS DESCRIPTION MOC8204 The MOC8204 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a high voltage, silicon, phototransistor detector in a standard 6-pin DIP package. It is designed for high voltage applications and
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moc82043 pin phototransistor4 pin phototransistorphototransistor 3 pin+1opto moc8204
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