DIODE BZW 90 Search Results

Contextual Info: • bb53tm □ □ Eb7T3 bS2 H A P X N AMER PHILIPS/DISCRETE BZW 03 S E R IE S b^E D REGULATOR DIO DES Glass passivated diodes in hermetically sealed axial-leaded glass envelopes. They are intended for use as voltage regulator and transient suppressor diode in medium power regulation and transient suppression

IC270

Abstract: C82 diode IC120 IC200 BZW03 BZW03-C510 BZW03-C7V5 C100 C110 C120
Contextual Info: • bb5B^3]i □ □ 5 t i 7 t13 bSB B i A P X N AUER P H I L I P S / D I S C R E T E blE BZW 03 SERIES D REGULATOR DIODES Glass passivated diodes in hermetically sealed axial-leaded glass envelopes. They are intended fo r use as voltage regulator and transient suppressor diode in medium power regulation and transient suppression

FOTOTRANSISTOR

Abstract: transistor 9003 p935 Infrared Phototransistor Fototransistor with filter Infrared emitter sfh diode diode bzw 06
Contextual Info: SFH 900 SFH 900 feo06270 Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Reflexlichtschranken für den Nahbereich bis 5 mm Abstand

diode bzw 27

Abstract: St 97 BZW 50 diode bzw 90 diode bzw
Contextual Info: SìC S-THOMSON O THOMSON-CSiDIVISION SEMICONDUCTEURS i D • 7 ì 5 cì a 3 7 GOOZtibS 59C 02665 D T - / / a .3 B Z W 30-12 - * B Z W 30-486 UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS DIODES O f PROTECTION UNIDIRECTIONNELLES TRAIMSIL Pp : 3 kW /1 ms expo.

BZW 22 DIODE ZENER

Abstract: 0633B 0615B DIODE ZENER BZW 03 0613B diode bzw 90 06-5V8B 0631B 0619B 06-342
Contextual Info: BZW06-5V8 B / 376(B) SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Voltage Range 5.8 to 376 Volts 600 Watts Peak Power DO-15 Features a a a a a a a a a UL Recognized File # E-96005 Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

DIODE ZENER BZW 06

Abstract: BZW 04-40B B DIODE ZENER BZW 04 diode bzw 06 04-19B 0419B 0415B diode bzw 90 04-213B DIODE ZENER BZW bipolar
Contextual Info: BZW04-5V8 B / 376(B) SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Voltage Range 5.8 to 376 Volts 400 Watts Peak Power DO-41 Features a a a a a a a a a UL Recognized File # E-96005 Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

BZW+20

Contextual Info: SG S-ÏHO M SO N mœmieraiMOSS BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B TRANSIL FEATURES • PEAK PULSE POWER: 600 W 10/IOOQus ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE: From 5.8V to 376 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR ■ FAST RESPONSE TIME ■ UL RECOGNIZED

Contextual Info: SG S-ÏHO M SO N mœmieraiMOSS BZW04-5V8/376 BZW04-5V8B/376B TRANSIL FEATURES • PEAK PULSE POWER: 400 W 10/IOOQus ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE: From 5.8V to 376 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR ■ FAST RESPONSE TIME ■ UL RECOGNIZED

Semipack skfh

Abstract: semikron skkt 56/14e semipack 1 skkt 19 semikron skkt 19 Semipack 1 skfh SKKD semikron semipack skkt 56/14 e Thyristor Tabelle skfh Z 151 VARISTOR
Contextual Info: 1. SEMIPACK Thyristor/Dioden - Module Besondere Merkmale Typische Anwendungen • Wärmeabfuhr über keramikisolierte Metall-Bodenplatte • Sanftanlaufgeräte für Wechselstrommotoren • Hartgelötete Verbindungen für höchste • Ungesteuerte Eingangs-Gleichrichter für

50-150B

Contextual Info: S G S - Ï H O M S O N m œ m ie r a M o s s B Z W 5 0 - 10 , B/18 0 , B TRANSIL FEATURES • PEAK PULSE POWER : 5000 W 10/1 OOO^s ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE: From 10V to 180 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR ■ FAST RESPONSE TIME

diode bzw 06

Abstract: diode bzw 06-23b 0626B BZW06-37 0631B 06342 0623B
Contextual Info: SGS-THOMSON MglMlLiCTlHlisMOS BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B TRANS IL FEATURES • PEAK PULSE POWER : 600 W 10/1 OOC^is ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE : From 5.8V to 376 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR ■ FAST RESPONSETIME ■ UL RECOGNIZED

diode bzw 06

Abstract: BZW04-5V8 BZW04-5V8B BZW04P5V8 BZW04P5V8B BZW04P6V4 BZW04P6V4B F126
Contextual Info: ^ 7/ SGS-TtfOMSON ILI BZW04-5V8,B/376,B BZW04P5V8,B/376,B TRANS ILTM FEATURES • PEAK PULSE POWER= 400 W @ 1ms ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE : From 5V8 to 376 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR . FAST RESPONSE TIME . UL RECOGNIZED DESCRIPTION

DF703

Abstract: telefunken-spezialrohren ecc85 Resonators magic eye ech 81 Fluorescent Indicator Tube T116 spezialrohrentypen RG-294
Contextual Info: TELEFUNKEN Erläuterungen zu den technischen Daten der TELEFUNKEN-Spezialröhren für Elektronik Einführung Die technischen Daten werden in Form von Meßwerten, Betriebswerten, Kapazitäten, Grenzwerten und Kennlinien angegeben. Diese Meßwerte, Betriebswerte und Kenn­

SKiip 83 EC 125 T1

Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Contextual Info: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen

RAST-5-Standard

Abstract: ei CM48 Lumberg connector lc4 CZK48 W02 diode Lumberg connector 2A SolarEdge Technologies
Contextual Info: closer LC3 LC4® contacts Verbindungslösungen für Photovoltaik-Systeme Standardprodukte und kundenspezifische Lösungen für • Modulhersteller • Komponentenhersteller • Installateure und Systemintegratoren System LC3® • • • besonders schlank

pml 003 am

Abstract: ic pml 003 am pml 009 S1 DIODE cih smd pml 603 am smd diode code B2 diode bzw 06 26 G003 G008
Contextual Info: iC-NZ LASERDIODEN-PULSREGLER Ausgabe B2, Seite 1/20 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Spitzenwertgeregelter Dreikanal-Laserschalter für CW- und Pulsbetrieb bis 155 MHz ♦ Spike-freies Schalten des Laserstroms bis ca. 100 mA pro Kanal in Summe max. 320 mA aus 3.5 bis 5.5 V

Contextual Info: N AMER PHILIPS/DISCRETE TDD D bb53T 31 0010L iT2 h • BZW 86 S E R IE S T " TR A N S IE N T SUPPRESSO R DIODES A ran g e of diffused silicon diodes in a DO-30 m etal envelope intended for u se in the p r o ­ tectio n of the e le c tric a l and elec tro n ic equipm ent ag a in st voltage tra n sie n ts.

Lumberg

Abstract: 61730 JT diode
Contextual Info: Verbindungslösungen für Photovoltaik-Systeme LC3 -JT und LC4®-JT Anschlussdosen für Dünnschichtmodule Junction boxes for Thinfilm modules LC3 JT LC4 JT Photovoltaik Anschlussdosen für Dünnschichtmodule1, ein polig mit Anschlussleitungen und Steckverbindern (alter

siemens dioden

Abstract: Transistor Datenbuch Siemens Halbleiterbauelemente A66762-A4013-A58 dioden siemens
Contextual Info: SIEMENS 1 Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode

siemens datenbuch

Contextual Info: SIEMENS 1 Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode

datenbuch

Abstract: DATA SHEET OF IGBT FREDFET leistungstransistoren datenbuch transistor
Contextual Info: Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters 1 Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode

A66762-A4013-A58

Abstract: leistungstransistoren Transistor Datenbuch halbleiter index transistor
Contextual Info: SIEM ENS 1 Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbole Symbols Begriffe A Anode C Kapazität; Kollektor Ciss Eingangskapazität Í oss Ausgangskapazität rss Rückwirkungskapazität CDS Drain-Source Kapazität ^ GD Gate-Drain Kapazität

A66762-A4013-A58

Abstract: din IEC 747 leistungstransistoren Semiconductor Group igbt datenbuch
Contextual Info: Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters 1 Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode

information applikation

Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511
Contextual Info: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G