DIODE A63 Search Results

Contextual Info: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC C2 *36A436+61234286544

c1449

Abstract: LCD 2002a C1449 transistor
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, High Optical Power) F 2002A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch

Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, High Optical Power) F 2004B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch

C1446

Abstract: osram topled DIODE 630
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, High Optical Power) F 1998A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch

F 1372A

Abstract: GCOY6911
Contextual Info: InGaAlP-Oberflächen emittierende-Lumineszenzdiode 650 nm, High Power InGaAlP Surface Emitting Light Emitting Diode (650 nm, High Power) F 1372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • • • • keine Schwelle hohe Leistung

Q-67220-C1447

Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 617nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (617 nm, High Optical Power) F 2000A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch Oberflächenstrukturierung und Stromverteilung

Q-67220-C1447

Abstract: c1447
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 617nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (617 nm, High Optical Power) F 2000A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch Oberflächenstrukturierung und Stromverteilung

Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm) F 0281D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 605 nm Technologie:InGaAIP

Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Enhanced Power) F 0283E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 570 nm

F1047B

Abstract: F1047A
Contextual Info: GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2

GMOY6088

Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 619 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (619 nm, Enhanced Power) F 0279E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 619 nm

OSRAM automotive lamp

Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 619 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (619 nm, Enhanced Power) F 0279E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 619 nm

GCOY6101

Abstract: topled 2ma
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Low Current) F 0283C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 570 nm • Technologie:InGaAIP

F1048A

Abstract: F1048B
Contextual Info: GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1048A F 1048B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 25 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 400 x 400 µm2

GCOY6101

Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, Low Current) F 0292C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 560 nm • Technologie:InGaAIP

osram power topled

Abstract: GMOY6088
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm, Enhanced Power) F 0281E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 605 nm

opto 101

Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, Enhanced Power) F 0282E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 590 nm

0292E

Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, Enhanced Power) F 0292E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 560 nm

DIODE 630

Abstract: GCOY6101
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, Low Current) F 0349C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 630 nm • Technologie:InGaAIP

GMOY6177

Abstract: "Infrared LED" 880 nm Pulsed Forward Current
Contextual Info: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 250 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 10 mil) F 0235F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • • • • Features Chipgröße 250 x 250 µm Emissionswellenlänge: 950 nm

GMOY6078

Abstract: Q65110A0136
Contextual Info: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, Enhanced Power GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2

A635

Contextual Info: unm TECHNOLOGY LM 185- 1.2/LM385-1.2 Micropower Voltage Reference F€ATUR€S DCSCRIPTIOH • ■ ■ ■ The LM 18 5-1.2 is a two terminal band gap reference diode that has been designed for applications which require precision performance with micropower oper­

optokoppler

Abstract: GaAs wafer dicing Chip free
Contextual Info: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 200 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 8 mil) F 1235B F 1235C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • • • Features Chipgröße 200 x 200 µm Emissionswellenlänge: 950 nm

TOKO CERAMIC FILTER 455

Abstract: TDA1083 TDA1083 am/fm circuit radio toko "variable capacitor" vogt l4 154AN vogt l7 STETTNER STETTNER SFE 5,5 A6363A0
Contextual Info: TDA1083 One Chip AM/FM Radio with Audio Power Amplifier Description The integrated circuit TDA1083 includes, with exception of the FM front end, a complete AM-/FM-radio-circuit with audio power amplifier. An internal Z-diode [ stabilizes the supply voltage at VS 13 V, which allows