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    DIODE A63 Search Results

    DIODE A63 Result Highlights (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    CEZ6V8
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 6.8 V, ESC Datasheet
    CUZ8V2
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 8.2 V, USC Datasheet
    CEZ6V2
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 6.2 V, ESC Datasheet
    CUZ6V8
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 6.8 V, USC Datasheet
    CEZ5V6
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Zener Diode, 5.6 V, ESC Datasheet

    DIODE A63 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    Contextual Info: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP50R06W2E3 EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC C2 *36A436+61234286544


    Original     		fp50r06w2e3c26a2961af86-bcd66+21231423567896ab4112cd3567896ef PDF

    Diode BA 148

    Abstract: pin diode do35 BA284
    Contextual Info: SIEMENS BA 284 Silicon Switching Diode • Low-Ioss RF switch for use at frequencies above 10 MHz, especially in TV tuners • Not for new design Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1» BA 284 yellow Q62702-A632 DO-35 DHD I - |3 — 1 4 EHA07001


    OCR Scan     		q62702-a632eha07001do-35diode ba 148+2pin diode do35ba284 PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, High Optical Power) F 2003B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		2003b PDF

    c1449

    Abstract: LCD 2002a C1449 transistor
    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, High Optical Power) F 2002A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		c1449lcd 2002ac1449 transistor PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, High Optical Power) F 2004B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		2004b PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm, High Optical Power) F 2001A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		PDF

    DIODE 630

    Abstract: C1446
    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, High Optical Power) F 1998A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		diode 630c1446 PDF

    AT 2003b

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, High Optical Power) F 2003B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		2003bat 2003b PDF

    C1448

    Abstract: osram topled
    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm, High Optical Power) F 2001A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		c1448osram topled PDF

    C1449

    Abstract: C1449 transistor
    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, High Optical Power) F 2002A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		c1449c1449 transistor PDF

    C1446

    Abstract: osram topled DIODE 630
    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, High Optical Power) F 1998A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		c1446osram topleddiode 630 PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, High Optical Power) F 2004B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch


    Original     		2004b PDF

    F 1372A

    Abstract: GCOY6911
    Contextual Info: InGaAlP-Oberflächen emittierende-Lumineszenzdiode 650 nm, High Power InGaAlP Surface Emitting Light Emitting Diode (650 nm, High Power) F 1372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • • • • keine Schwelle hohe Leistung


    Original     		f 1372agcoy6911 PDF

    Q-67220-C1447

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 617nm, High Optical Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (617 nm, High Optical Power) F 2000A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Feature • Optimierte Lichtauskopplung durch Oberflächenstrukturierung und Stromverteilung


    Original     		617nmq-67220-c1447 PDF

    F 1372C

    Abstract: 1372C GCOY6911
    Contextual Info: InGaAlP-Oberflächen emittierende-Lumineszenzdiode 650 nm InGaAlP Surface Emitting Light Emitting Diode (650 nm) F 1372C Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • keine Schwelle • Kurze Schaltzeiten: < 25 ns • Optimale Wellenlänge für


    Original     		1372cf 1372cgcoy6911 PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm) F 0282D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 590 nm Technologie:InGaAIP


    Original     		0282d PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm) F 0281D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 605 nm Technologie:InGaAIP


    Original     		0281d PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 632 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (632 nm) F 0280D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 632 nm Technologie:InGaAIP


    Original     		0280d PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 619 nm InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (619 nm) F 0279D Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 619 nm Technologie:InGaAIP


    Original     		0279d PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Enhanced Power) F 0283E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 570 nm


    Original     		0283e PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, Low Current) F 0292C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 560 nm • Technologie:InGaAIP


    Original     		0292c PDF

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Low Current) F 0283C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 570 nm • Technologie:InGaAIP


    Original     		0283c PDF

    F1047B

    Abstract: F1047A
    Contextual Info: GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2


    Original     		1047bf1047bf1047a PDF

    GMOY6088

    Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 619 nm, Enhanced Power InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (619 nm, Enhanced Power) F 0279E Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • Feature Chipgröße 200 x 200 µm Wellenlänge: 619 nm


    Original     		0279egmoy6088 PDF