BPY 62 Search Results

bpy 62-4

Abstract: Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62
Contextual Info: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from

GMOY6019

Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit

BPY62

Abstract: Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C

Bpy 43

Abstract: foto transistor Y1112 GMOY6019 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C

Bpy 43

Abstract: BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS 4. Fototransistoren 4. Phototransistors TA = 25 °C Package TA = 25 °C Type ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IPCE λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEO λ10% mA V nm tr,tf (IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ)

SFH Siemens

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400 SFH 401 SFH 402 Cathode SFH 480 Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position Radiant Sensitive area o o (O o O) GE006314 : SFH 481 Anode Cathode : SFH 401 O ) o (O o Chip position (2.7) Radiant sensitive area

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400 SFH 401 SFH 402 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case

OHRD1938

Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

SFH Siemens

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Chip position 2.7 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Cathode (SFH 480 Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) Radiant Sensitive area 00.45 i -L 5.3 5.0 7.4 GE006314 O Oí o o (O 6.6 Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481

Q62702P0097

Abstract: GEOY6314 OHRD1938 BPY 62
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

SDIP42

Abstract: STV3951 picture in picture
Contextual Info: STV3951 MULTI PICTURE-IN-PICTURE PROCESSOR . . . . . . Y, R-Y, B-Y INPUTS FOR SMALL PICTURE INTEGRATED ANTI ALIASING LOW-PASS FILTERS VERTICAL FILTERING ON CHROMA AND LUMINANCE 6 BITS PRECISE CONVERSION ON Y, R-Y AND B-Y FORMAT REDUCTION BY 3 OR 4 DISPLAY OF 1 TO 4 SMALL PICTURES

Contextual Info: rZ I S G S -T H O M S O N * 7 t . üfflütgœiUKgTWO STV3951 MULTI PICTURE-IN-PICTURE PROCESSOR ADVANCE DATA DESCRIPTION The PIP processor provides all the functions nec­ essary to process the size reduction of a 4/3 TV picture in the format Y, R-Y, B-Y, and to allow a

OHRD1938

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

BPX65

Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

Diode ev

Abstract: glass lens phototransistor
Contextual Info: SIEMENS CMPNTS t OPTO H4E D • flS3b32b QQDS227 3 * S I E X S IE M E N S BPY62 SERIES PHOTOTRANSISTOR T-41-61 Package Dimensions in Inches mm .110 -~ 4 .s u - .018 (0.45) 217 (5.5) .211 (5 35) .110 (2 .8 ) .106 (2.7) L |0 1 (2 54) n 571 (14 5) ' .492 (12 5)

BPY62

Abstract: Phototransistor to-18 glass lens phototransistor
Contextual Info: SIEMENS AKTIENGESEL LSCH AF 47E D flS3SbGS 002750b S « S I E Û SIEM ENS BPY62 SERIES PHOTOTRANSISTOR Package Dimensions in Inches mm m 018 I0 45) — ,6 a 217 (5 5) 211 (5 35) 0 1 (2 54) 187 \ (4 75) Max \ \ Radiant Sensitive Area Maximum Ratings Operating and Storage Temperature (T ^ , T^ .

bpx28

Abstract: Germanium diode OA 182 TAA920 fy sot 143 BSV57B AC187K BPW14 BF194 AD 161 BPX34
Contextual Info: Halbleiter TELE FUN KEN Übersicht Sem iconductor survey 1972/1973 B2/V.3.20/0872 D ie s e Liste soll die W ahl g ee ig n e te r H albleiter-Typen fü r die verschiedenen A n w en du ng szw ecke e rleich te rn . Z ur besseren Ü b e rs ic h t sind nur die w e se ntlich en D aten

TIL78

Abstract: MRD100 FSP165 BSW11 rt930 2N577 BC198A BFY47 10G1051 D10B1055
Contextual Info: SY M B O L S & C O D ES E X P L A IN E D IN TYPE No. CROSS-INDEX & TECHNICAL SECTIONS A \ Indicators of separate manufacturers producing same type number non-JEDEC whose characteristics are not the same. i This manufacturer-identifying symbol (assigned by D.A.T.A.) is an integral part of the type number (in Type No. Cross Index,

TIL78

Abstract: 2SA124 SMT102 2sa123 2sa155 AF101 2N534 MA520 maa 550 TF65
Contextual Info: SYMBOLS & CODES EXPLAINED IN TYPE No. CROSS-INDEX & TECHNICAL SECTIONS A \ Indicators of separate manufacturers producing same type number non-JEDEC whose characteristics are not the same. i This manufacturer-identifying symbol (assigned by D.A.T.A.) is an integral part of the type number (in Type No. Cross Index,

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Contextual Info: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com

MCR03EZHJ

Abstract: KDS AT-49 grm188f11e104z GRM1882C1H100J GRM1882C1H GRM1882 at-49 30.000 16MCE226MB2TER grm188f11e MCR03EZHF
Contextual Info: ユーザーズ・マニュアル（暫定） ET-0170 µPD720133（USB2.0 - IDE ブリッジ）評価ボード 資料番号 発行年月 S17123JJ1V0UM00（第 1 版） March 2004 NS CP N 2004 〔メ 2 モ〕 ユーザーズ・マニュアル（暫定） S17123JJ1V0UM

Contextual Info: DATA S H E E T MAY 1999 Revision 2.4 LXT441 Switched 56/DDS Integrated DSU/CSU General Description The LXT441 is an integrated transceiver and data formatter for Switched 56 SW 56 and Digital Data Service (D D S) Data Service Unit/Channel Service Unit (D SU/CSU)

isl 6251 schematic

Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
Contextual Info: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.