BPY 10 Search Results

BPY 10

Abstract: P1029 Q62702-P1029 Q62702-P9 fso06016
Contextual Info: BPY 12 BPY 12 H 1 BPY 12 BPY 12 H 1 feo06697 fso06016 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm

BPY 10

Abstract: PHOTOVOLTAIC CELL Silicon Group Q60215-Y111-S4 Q60215-Y111-S5 "PHOTOVOLTAIC CELL"
Contextual Info: BPY 11 P BPY 11 P fso06032 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite

foto transistor

Abstract: BPY62 foto Y1112 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 npn phototransistor
Contextual Info: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from

"PHOTOVOLTAIC CELL"

Abstract: Silicon Group Q60215-Y63-S1 BPY 10
Contextual Info: BPY 63 P BPY 63 P fso06635 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from

Silicon Group

Abstract: Q60215-Y67
Contextual Info: BPY 64 P BPY 64 P fso06636 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite

PHOTOVOLTAIC CELL

Abstract: Q60215-Y66 BPY47p
Contextual Info: BPY 47 P BPY 47 P fso06633 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite

Q60215-Y67

Contextual Info: BPY 64 P BPY 64 P fso06636 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite

Q60215-Y65

Contextual Info: BPY 48 P BPY 48 P fso06634 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from

bpy 62-4

Abstract: Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62
Contextual Info: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from

PHOTOVOLTAIC CELL

Abstract: Q60215-Y63-S1
Contextual Info: BPY 63 P BPY 63 P fso06635 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kathode = Chipunterseite

bp 103-2

Abstract: Q62702-P79-S2 bp 103-5 Q62702-P1641
Contextual Info: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren 2. Fototransistoren 2. Phototransistors 2.4 2.4 im hermetisch dichten Metallgehäuse Type Package deg. mm2 mA V nm US ±8 0.12 0.5 . 2.5 50 420 . 1130 BPY 62-3 0.8 . 1.6 7 Q60215-Y1112 BPY 62-4 1.25 . 2.5 9

Contextual Info: SIEMENS Sjlizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm • Kathode = Chipunterseite

GMOY6019

Abstract: OHLY0598 Q60215Y1113
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit

GMOY6019

Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit

BPY62

Abstract: Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C

BPY 62-3/4

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit

BPY62

Abstract: Siemens photodiode SIEMENS Phototransistors BPY
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chip position 2.7 BPY 62 Radiant sensitive area \ 00.45 .1I v _ . . 12.5 5.1 4.8 _—6.2 k 5.4 Approx. weight 1.0 g M aße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified

phototransistor 600 nm

Abstract: BPY62 bpy 62-4
Contextual Info: 2009-07-24 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 400 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 400 . 1100 nm • Gehäuse: Metall Gehäuse TO-18 , hermetisch

Bpy 43

Abstract: foto transistor Y1112 GMOY6019 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C

GMOY6019

Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 10
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 400 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Contextual Info: SIEMENS Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 64 P Diode and solder pads lacquered Strands soldered 1 Max. solder areas on fro n t and back side GS006636 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specitied.

SIEMENS Phototransistors BPY

Abstract: Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 WCE0250 SIEMENS Phototransistors Q60215Y1111
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chip position BPY 62 R ad ian t sensitive area ^ 2 -7 0 0 .4 5 A 14.5 5.1 12.5 4.8 6.2 5.4 o Approx. w eight 1.0 g 5fi o E M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified

tic 1060

Contextual Info: SIEMENS Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 48 P Diode and s o ld e r pads la cquered Active area - 6.4 u 6.2 S trands soldered r*-i^o o 5 1 i 7 r X , « 0 .5 5 /» Q -5 ^ ol° 0 .7 '^ - 80 - 70 30 - ¡ i^ \ ^ - \ c 5 Anode red and back side