BPX 95 Search Results

Q62702-P47

Abstract: Q62702-P928
Contextual Info: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90 und bei 950 nm (BPX 90 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

BPX osram

Abstract: 1000-LX GEOY6014 Q62702-P47 Q62702-P928
Contextual Info: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90 und bei 950 nm (BPX 90 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

BPX osram

Abstract: GEOY6638 Q62702-P17-S1 Q62702-P305 BPX 48
Contextual Info: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit

Q62702-P17-S1

Abstract: Q62702-P305 BPX48 diode bzw 06 BPX 48
Contextual Info: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

A950 O

Abstract: BPX90 F
Contextual Info: SIEMENS BPX 90 BPX 90F DAYLIGHT FILTER Silicon Planar Photodiode BPX 90 FEATURES • Especially suitable for applications - BPX 90:400nm to 1100 nm - BPX90 F: 950 nm • High photosensitivity • DIL plastic package with high packing den­ sity APPLICATIONS

Q62702-P47

Abstract: Q62702-P928
Contextual Info: BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F feof6014 feo06014 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90

Q62702-P21

Abstract: Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32 Q62702-P33 Anders Electronics
Contextual Info: BPX 80 BPX 82 . 89 BPX 80 BPX 82 . 89 feo06367 fez06365 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im

Q62702-P17-S1 equivalent

Abstract: Q62702-P305 Q62702-P17-S1 BPX48
Contextual Info: BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F feof6638 feo06638 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im

Contextual Info: 2011-05-27 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.0 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.1 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Miniature Array, Epoxy • Special: Multiple-digit array package

Contextual Info: BPX81 2-10 TRANSISTOR ARRAYS BPX82— 89, 80 SIEMENS SINGLE TRANSISTOR Silicon NPN Phototransistor Dimensions in inches mm BPX81 Dimension “A*. Part No. Min. Max. BPX82 .177 (4.5) .193 (4.9) BPX 83 .275 (7.0) .291 (7.4) BPX 84 .377 (9.6) .393 (10) BPX 85

Contextual Info: BPX 90 BPX 90F SIEMENS DAYLIGHT FILTER Silicon Planar Photodiode D im ensions in inch e s m m .212(5.4) .193(4,9) 177 (4.5) .090(2.3) 07912.(5) C hip position .024 (.6) .016 (.4) FEATURES • Especially suitable for applications - BPX 90: 400nm to 1100 nm

Contextual Info: BPX 48 BPX 48F SIEMENS DAYLIGHT FILTER Silicon Differential Photodiode Dimensions in inches mm .159(4.05) I .147 (3.75) I H 0e to 5° Cathode uauiuub / ?4 _ noR Lead spacing n 6 2) ~ T .096 (2.45) idre" DESCRIPTION The differential photodiode BPX 48 is designed for special industrial electronic

RADIALL CONTACT 620 600 257

Abstract: Radiall arinc 620 600 Radiall arinc 620 800 066 Radiall 620 600 238 311601 coax FILOTEX METAL BRAID radiall 617 610 connector ABS1503KD24 Adams-Russell FC cable awg Radiall arinc 600 NSX
Contextual Info: NSX ARINC 600 INTRODUCTION MULTICONTACT CONNECTORS NSX- ARINC 600 / BPX NSX series defined by ARINC 600 specification and BPX series (defined by Bœing S280W551 specification) are multipin rack and panel connectors used to connect high performance aeronautical equipments.

phototransistor 650 nm

Abstract: foto transistor Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 BPX 38
Contextual Info: BPX 38 BPX 38 fmo06018 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm

foto transistor

Abstract: foto transistor BPX circuit Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3
Contextual Info: BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm

feo06021

Abstract: Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3
Contextual Info: BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm

foto transistor

Abstract: BPX 43-3/4 BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Bpx 95 bis125
Contextual Info: BPX 43 BPX 43 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from

Bpx 95

Abstract: foto transistor BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 F912 bpx 43-4
Contextual Info: BPX 43 BPX 43 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from

foto transistor

Abstract: Q62702-P21 GEO06367 Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar

Q62702P0022

Abstract: BPX osram
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy

BPX81-4

Abstract: BPX81-3 BPX81 BPX-81-4 Typ BPX81-2 BPX80 BPX81-2 BPX82 BPX89 phototransistor array
Contextual Info: SIEMENS BPX81 2-10 TRANSISTOR ARRAYS BPX82-89, 80 SINGLE TRANSISTOR Silicon NPN Phototransistor Dimensions in inches mm BPX82-89, SO BPX81 Dimension “A” . Part No. Min. .141 (3.6) .1 2 6 (3 .2 ) Max. BPX 82 .177 (4.5) .193 (4.9) BPX 83 .275 (7.0) .291

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy