TS868C12R Search Results

Contextual Info: TS868C12R 30A (120V / 30A ) [0402] High Voltage Schottky barrier diode 120 0.88 VRRM VF IO V V 30 1.5 Max Characteristics TS868C12R Units Condition Tc=25°C MAX. A 4.5 ±0.2 1.32 3.0 ±0.3 10 +0.5 9.3 ±0.5 Major characteristics 0.9 ±0.3 Outline drawings, mm

mp2a5100

Abstract: ya868c12 YA868C15 2sk4004 YG865C10 F5049 diode 3a05 Diode SMD SJ 24 Diode SMD SJ 09 Diode SMD SJ 28
Contextual Info: 富士電機半導体 総 合 カ タ ログ FUJI SEMICONDUCTORS ● パワー MOSFET Power MOSFETs ● 整流ダイオード Rectifier diodes ● パワーデバイス Power devices ● 集積回路 Integrated circuits ● 圧力センサ Pressure sensors

YA868C15

Abstract: ya868c12 YG972S6 yg862c15 yg865c15 YG862C15R YG975C6R YA865C12R yg971s6 YG862C12R
Contextual Info: 整流ダイオード / Rectifier Diodes • 高耐圧ショットキーバリアダイオード High Voltage Schottky-Barrier Diodes（SBD） デュアル 2 in one-package 形 式 Device type YA862C12R YG862C12R TS862C12R YA865C12R YG865C12R TS865C12R