R1RW0416D Search Results
R1RW0416D Datasheets (23)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| R1RW0416D | Renesas Technology | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | Original | 97.58KB | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DGE-2LR | Renesas Technology | Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (44); Status: Remarks: | Original | 140.19KB | 17 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DGE-2LR | Renesas Technology | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | Original | 97.59KB | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DGE-2PI | Renesas Technology | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | Original | 90.66KB | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DGE-2PI#B0 | Renesas Electronics America | Integrated Circuits (ICs) - Memory - IC SRAM 4M FAST 44-SOJ | Original | 461.94KB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DGE-2PR | Renesas Technology | Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (44); Status: Remarks: | Original | 140.19KB | 17 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DGE-2PR | Renesas Technology | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | Original | 97.58KB | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DGE-2PR#B0 | Renesas Electronics America | Integrated Circuits (ICs) - Memory - IC SRAM 4M FAST 44-SOJ | Original | 163KB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DI | Renesas Technology | Wide Temperature Range Version 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | Original | 90.64KB | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DI Series | Renesas Technology | Wide Temperature Range Version 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | Original | 90.65KB | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2LR | Renesas Technology | Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status: Remarks: | Original | 140.19KB | 17 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2LR | Renesas Technology | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | Original | 97.58KB | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2LR#B0 | Renesas Electronics America | Integrated Circuits (ICs) - Memory - IC SRAM IBIS ASYNC | Original | 163KB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2LR#D1 | Renesas Electronics America | Integrated Circuits (ICs) - Memory - IC SRAM IBIS ASYNC | Original | 157.05KB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2PI | Renesas Technology | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | Original | 90.66KB | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2PI#B0 | Renesas Electronics America | Integrated Circuits (ICs) - Memory - IC SRAM IBIS ASYNC | Original | 461.94KB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2PI#D0 | Renesas Electronics America | Integrated Circuits (ICs) - Memory - IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | Original | 467.4KB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2PI#D1 | Renesas Electronics America | Integrated Circuits (ICs) - Memory - IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | Original | 467.4KB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2PR | Renesas Technology | Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status: Remarks: | Original | 140.19KB | 17 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1RW0416DSB-2PR | Renesas Technology | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | Original | 97.59KB | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R1RW0416D Price and Stock
Renesas Electronics Corporation R1RW0416DSB-2LR#D1IC: SRAM memory; 256kx16bit; 12ns; TSOP44 II; parallel; -40÷85°C |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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R1RW0416DSB-2LR#D1 | 157 | 2 |
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R1RW0416DSB-2LR#D1 | Tray | 135 |
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R1RW0416DSB-2LR#D1 | 125 |
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R1RW0416DSB-2LR#D1 | 405 |
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R1RW0416DSB-2LR#D1 | 313 |
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Renesas Electronics Corporation R1RW0416DSB-0PI#D1IC: SRAM memory; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel; -40÷85°C |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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R1RW0416DSB-0PI#D1 | 10 | 4 |
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R1RW0416DSB-0PI#D1 | 135 | 1 |
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R1RW0416DSB-0PI#D1 | Tray | 135 |
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R1RW0416DSB-0PI#D1 | 8 |
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R1RW0416DSB-0PI#D1 | 405 |
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Renesas Electronics Corporation R1RW0416DSB-2PR#D1IC: SRAM memory; 256kx16bit; 12ns; TSOP44 II; parallel |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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R1RW0416DSB-2PR#D1 | 9 | 3 |
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R1RW0416DSB-2PR#D1 | Tray | 135 |
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R1RW0416DSB-2PR#D1 | 7 |
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R1RW0416DSB-2PR#D1 | 491 |
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Renesas Electronics Corporation R1RW0416DGE-2LR#B0SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ Tube |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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R1RW0416DGE-2LR#B0 | 4,098 | 25 |
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| R1RW0416DGE-2LR#B0 | 515 | 25 |
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R1RW0416DGE-2LR#B0 | 4,613 | 1 |
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Renesas Electronics Corporation R1RW0416DGE-2PR#B0SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ T/R |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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R1RW0416DGE-2PR#B0 | 3,942 | 25 |
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| R1RW0416DGE-2PR#B0 | 420 | 25 |
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R1RW0416DGE-2PR#B0 | 4,362 | 1 |
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R1RW0416D Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
|---|---|---|---|
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Contextual Info: Datasheet R1RW0416DI Series Wide Temperature Range Version 4M High Speed SRAM 256-kword x 16-bit REJ03C0109-0201 Rev.2.01 Jun 16, 2010 Description The R1RW0416DI is a 4-Mbit high speed static RAM organized 256-kword × 16-bit. It has realized high speed access |
Original |
r1rw0416di256-kword16-bit400-mil+1 | |
44P0K
Abstract: R1RW0416DGE-2PI R1RW0416DI R1RW0416DSB-2PI
|
Original |
r1rw0416di256-kword16-bitrej03c0109-0100z+5 | |
44P0K
Abstract: R1RW0416D R1RW0416DGE-2LR R1RW0416DGE-2PR R1RW0416DSB-2LR R1RW0416DSB-2PR
|
Original |
r1rw0416d256-kword16-bitrej03c0107-0100z+7 | |
REJ03C0107-0200
Abstract: R1RW0416DSB-2SR R1RW0416D R1RW0416DGE-2LR R1RW0416DGE-2PR R1RW0416DSB-0PR R1RW0416DSB-2LR R1RW0416DSB-2PR
|
Original |
r1rw0416d256-kword16-bitrej03c0107-0200+8 | |
K6X8016T3B-UF55
Abstract: K6X4008C1F-UF55 HM216514TTI5SE k6x4008c1f uf55 K6X4016T3F-UF70 K6X4008T1F-UF70 HM28100TTI5SE K6X8008T2B-UF55 M5M51008DFP-70HI K6X4008T1F-BF70
|
Original |
aus-2154d-65510k6x8016t3b-uf55k6x4008c1f-uf55+8 | |
sck 103 thermistor
Abstract: HA13721RPJE SN74LVC2T45DCT SH7216 SN74LVC1T45DCK ACM0802C sck 104 thermistor J0011D21BNL SN74LVC2T45 EP1K30TC144
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Original |
a6s-4104hd74lv2g14apc10/a10/tioc1a/crx0/rxd0pc11/a11/tioc1b/ctx0/+12 | |
HN58V1001TI-25E
Abstract: R1EX25256ATA00I renesas tcam tcam renesas cypress tcam idt tcam r1qaa7218rbg R1LV0816A M5M51008DFP-55H R1LV1616RBG-7SI
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Original |
rej01c0001-1000hn58v1001ti-25er1ex25256ata00irenesas tcam+7 | |
R1RW0416DGE-2PR
Abstract: HM62W16255HCTT-10 R1RW0416DSB-2PI R1RW0408DGE-2PI HM62W16255HCJP-10 HM62W16255HCJP-12 HM62W16255HCJPI-12 HM62W16255HCLJP-10 HM62W16255HCLJP-12 HM62W16255HCLTT-10
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Original |
hm62w16255hcjp-10gs74116aj-10hm66aeb36105bp-33gs8342s36e-300+14 | |
R1RW0416DSB-2PI
Abstract: 44P0K R1RW0416DGE-2PI R1RW0416DI
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Original |
r1rw0416dsb-2pi44p0kr1rw0416dge-2pir1rw0416di | |
R1RW0416DSB-0PR
Abstract: R1RW0416D R1RW0416DGE-2LR R1RW0416DGE-2PR R1RW0416DSB-2LR R1RW0416DSB-2PR REJ03C0107-0200 R1RW0416DSB-2SR
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Original |
r1rw0416dsb-0prr1rw0416dr1rw0416dge-2lrr1rw0416dge-2pr+4 |