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2SA1342 Abstract: FC-111 3079-2 D2000 FC111 ITR10410 ITR10411 ITR10412 ITR10413 Contextual Info: 注文コード No. N 3 0 7 9 FC111 No. N3079 D2000 FC111 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタスイッチング用（バイアス抵抗内蔵）・バイアス抵抗 R1=22kΩ, R2=22kΩ を内蔵。・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。	Original	fc111 n3079 d2000 2sa1342 +6itr10411 itr10410 itr10412 itr10413 fc-111 3079-2	PDF
IN2222A Abstract: transitron catalog TCR43 TM106 IN443 1n9448 sv4091 IN4868 diode 3N68 IN536 Contextual Info: ron Tro nsitron electronic corporation e I ron 168 Albion Street . Wakefield. Massachusetts 01881 WAKEFIELD, MASSACHUSE TTS BOSTON, MASSACHUSETTS MELROSE, MASSACHUSETTS NUEVO LAREDO, MEXICO BERKSHIRE, ENGLAND PARIS, FRANCE AMSTERDAM, THE NETHERLANDS ~ ciectl'onic corpOI'atioll	Original	in2222a transitron catalog tcr43 tm106 +6in443 1n9448 sv4091 in4868 diode 3n68 in536	PDF

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2SA1342

Abstract: FC-111 3079-2 D2000 FC111 ITR10410 ITR10411 ITR10412 ITR10413
Contextual Info: 注文コード No. N 3 0 7 9 FC111 No. N3079 D2000 FC111 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタスイッチング用（バイアス抵抗内蔵）・バイアス抵抗 R1=22kΩ, R2=22kΩ を内蔵。・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。

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fc111 n3079 d2000 2sa1342 +6

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IN2222A

Abstract: transitron catalog TCR43 TM106 IN443 1n9448 sv4091 IN4868 diode 3N68 IN536
Contextual Info: ron Tro nsitron electronic corporation e I ron 168 Albion Street . Wakefield. Massachusetts 01881 WAKEFIELD, MASSACHUSE TTS BOSTON, MASSACHUSETTS MELROSE, MASSACHUSETTS NUEVO LAREDO, MEXICO BERKSHIRE, ENGLAND PARIS, FRANCE AMSTERDAM, THE NETHERLANDS ~ ciectl'onic corpOI'atioll

Original

in2222a transitron catalog tcr43 tm106 +6

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